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    [技術(shù)]元件內(nèi)部場分析儀:FMM [復(fù)制鏈接]

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    只看樓主 倒序閱讀 樓主  發(fā)表于: 01-07
    摘要 hVl@7B~  
    LQR^lD+_=  
    n:f&4uKoG<  
    Ko)f:=Qo  
    元件內(nèi)部場分析器:FMM允許用戶可視化和研究微結(jié)構(gòu)納米結(jié)構(gòu)內(nèi)部的電磁場分布。為此,使用傅立葉模態(tài)法/嚴(yán)格耦合波分析(FMM/RCWA)計(jì)算周期性結(jié)構(gòu)(透射或反射、電介質(zhì)或金屬)內(nèi)部的場。還可以指定場的哪一部分應(yīng)該可視化:正向模式、反向模式或兩者同時(shí)顯示。 7GCxd#DJ  
    _h 6c[*  
    元件內(nèi)部場分析儀:FMM cI&XsnY  
    Er - rm  
    r7^v@  
    元件內(nèi)部場分析器:FMM是光柵光學(xué)裝置的獨(dú)有功能,可提供光柵結(jié)構(gòu)內(nèi)部電磁場的可視化。 RRQIlI<  
    3#Iq5vT  
    評估模式的選擇 ]^Xj!01~  
      
    >s )L(DHa"  
    )Cat$)I#,  
    為了更容易地區(qū)分入射場、反射場和透射場,可以僅評估正向或反向傳播模式,或者評估兩者的總和。 =\mJ5v"hA  
    $R+rB;=a!  
    評價(jià)區(qū)域的選擇 ?6HnN0A)  
       Dy:r)\KX  
    :i|]iXEI"  
    J/3$I  
    元件內(nèi)部場分析器:FMM可以輸出整個(gè)元件(包括基板)內(nèi)部的場,或者只輸出一個(gè)堆;蚧鶋K(基板)中的場。 wk{]eD%  
    4dm0:, G  
    不同光柵結(jié)構(gòu)的場分布 Ktu~%)k%  
    ^+0>,-)F  
    任意形狀的光柵結(jié)構(gòu)可以通過元件內(nèi)部場分析儀進(jìn)行分析。以下是幾個(gè)例子: dkqyn"^  
    4P"XT  
    Xoha.6$l5  
    光柵結(jié)構(gòu)的采樣 ] g8z@r"b  
    Z{/GT7 /  
    雖然分析儀為輸出數(shù)據(jù)提供了一些采樣選項(xiàng),但系統(tǒng)中定義的光柵表面必須正確采樣(例如,分解點(diǎn)和過渡點(diǎn)的層數(shù)足夠)。 x 0K#-  
    H7k@Br  
    RS#C4NG  
    t/3HX]B_  
    分解預(yù)覽展示了如何根據(jù)當(dāng)前采樣因子對光柵結(jié)構(gòu)進(jìn)行采樣。 nwzyL`kF  
    18p4]:L  
    光柵結(jié)構(gòu)的充分采樣意味著已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了收斂,即進(jìn)一步增加采樣不會顯著影響產(chǎn)生的場。例如,如果層分解過于粗糙,則可能會由于縱斷面中的大臺階而產(chǎn)生其他影響。 .8GXpt^U(  
    gGN 6Yqj0