現(xiàn)以砷化鎵（GaAs）激光器為例，介紹注入式同質(zhì)結激光器的工作原理。 c[f  
    1．注入式同質(zhì)結激光器的振蕩原理。由于半導體材料本身具有特殊晶體結構和電子結構，故形成激光的機理有其特殊性。 }"E?#&^  
    （1）半導體的能帶結構。半導體材料多是晶體結構。當大量原子規(guī)則而緊密地結合成晶體時，晶體中那些價電子都處在晶體能帶上。價電子所處的能帶稱價帶（對應較低能量）。與價帶最近的高能帶稱導帶，能帶之間的空域稱為禁帶。當加外電場時，價帶中電子躍遷到導帶中去，在導帶中可以自由運動而起導電作用。同時，價帶中失掉一個電子，則相當于出現(xiàn)一個帶正電的空穴，這種空穴在外電場的作用下，也能起導電作用。因此，價帶中空穴和導帶中的電子都有導電作用，統(tǒng)稱為載流子。 u+kXJ  
    （2）摻雜半導體與p-n結。沒有雜質(zhì)的純凈半導體，稱為本征半導體。如果在本征半導體中摻入雜質(zhì)原子，則在導帶之下和價帶之上形成了雜質(zhì)能級，分別稱為施主能級和受主能級。 !'[f!vsyM{  
    有施主能級的半導體稱為n型半導體；有受主能級的半導體稱這p型半導體。在常溫下，熱能使n型半導體的大部分施主原子被離化，其中電子被激發(fā)到導帶上，成為自由電子。而p型半導體的大部分受主原子則俘獲了價帶中的電子，在價帶中形成空穴。因此，n型半導體主要由導帶中的電子導電；p型半導體主要由價帶中的空穴導電。 O$<kWSC  
    半導體激光器中所用半導體材料，摻雜濃度較大，n型雜質(zhì)原子數(shù)一般為（2－5）×1018cm-1；p型為（1－3）×1019cm-1。 vQ$