300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm AC$:.KLI
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm f,?P1D\
780~1200 nm T ave <1% a/Cd;T2
>^8=_i !
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) /GK1}h
5,0fL
H: Ta2O5 L:SiO2 Z>)(yi9+
26c,hPIeXY
該如何設(shè)計