300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm S=gW(c2'
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm GH'O!}
780~1200 nm T ave <1% J-J3=JG
dDKqq(9(`
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個(gè)膜堆(2短1長 ) gZ(O)uzv
M@?"t_e1
H: Ta2O5 L:SiO2 0^]t"z5f0
lVeH+"M?
該如何設(shè)計(jì)