一、半導(dǎo)體激光器的特征 @+gr>a1K#  
　　半導(dǎo)體激光器是用半導(dǎo)體材料作為工作物質(zhì)的一類激光器，由于物質(zhì)結(jié)構(gòu)上的差異，產(chǎn)生激光的具體過程比較特殊。常用材料有砷化鎵（GaAs）、硫化鎘（CdS）、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等。激勵方式有電注入、電子束激勵和光泵浦三種形式。 IEx`W;V]K  
　　半導(dǎo)體激光器件，可分為同質(zhì)結(jié)、單異質(zhì)結(jié)、雙異質(zhì)結(jié)等幾種。同質(zhì)結(jié)激光器和單異質(zhì)結(jié)激光器室溫時多為脈沖器件，而雙異質(zhì)結(jié)激光器室溫時可實現(xiàn)連續(xù)工作。 bVB_KE  
　　半導(dǎo)體激光器具有體積小、效率高等優(yōu)點，廣泛應(yīng)用于激光通信、印刷制版、光信息處理等方面。 [a\
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二、半導(dǎo)體激光器的結(jié)構(gòu)與工作原理 rNdeD~\  
　　現(xiàn)以砷化鎵（GaAs）激光器為例，介紹注入式同質(zhì)結(jié)激光器的工作原理。 5$v,%~$Xds  
　　1．注入式同質(zhì)結(jié)激光器的振蕩原理。由于半導(dǎo)體材料本身具有特殊晶體結(jié)構(gòu)和電子結(jié)構(gòu)，故形成激光的機理有其特殊性。 4QK~qAi  
　�。�1）半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體材料多是晶體結(jié)構(gòu)。當(dāng)大量原子規(guī)則而緊密地結(jié)合成晶體時，晶體中那些價電子都處在晶體能帶上。價電子所處的能帶稱價帶（對應(yīng)較低能量）。與價帶最近的高能帶稱導(dǎo)帶，能帶之間的空域稱為禁帶。當(dāng)加外電場時，價帶中電子躍遷到導(dǎo)帶中去，在導(dǎo)帶中可以自由運動而起導(dǎo)電作用。同時，價帶中失掉一個電子，則相當(dāng)于出現(xiàn)一個帶正電的空穴，這種空穴在外電場的作用下，也能起導(dǎo)電作用。因此，價帶中空穴和導(dǎo)帶中的電子都有導(dǎo)電作用，統(tǒng)稱為載流子。 rRTAWAs%T  
　�。�2）摻雜半導(dǎo)體與p-n結(jié)。沒有雜質(zhì)的純凈半導(dǎo)體，稱為本征半導(dǎo)體。如果在本征半導(dǎo)體中摻入雜質(zhì)原子，則在導(dǎo)帶之下和價帶之上形成了雜質(zhì)能級，分別稱為施主能級和受主能級（見圖19－24）。 Po%+:0oX  
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圖19－24 M@G <I]\  
　　有施主能級的半導(dǎo)體稱為n型半導(dǎo)體；有受主能級的半導(dǎo)體稱這p型半導(dǎo)體。在常溫下，熱能使n型半導(dǎo)體的大部分施主原子被離化，其中電子被激發(fā)到導(dǎo)帶上，成為自由電子。而p型半導(dǎo)體的大部分受主原子則俘獲了價帶中的電子，在價帶中形成空穴。因此，n型半導(dǎo)體主要由導(dǎo)帶中的電子導(dǎo)電；p型半導(dǎo)體主要由價帶中的空穴導(dǎo)電。  h:[8$]