一、半導體激光器的特征 JROM_>mC  
　　半導體激光器是用半導體材料作為工作物質(zhì)的一類激光器，由于物質(zhì)結(jié)構上的差異，產(chǎn)生激光的具體過程比較特殊。常用材料有砷化鎵（GaAs）、硫化鎘（CdS）、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等。激勵方式有電注入、電子束激勵和光泵浦三種形式。 I6~pV@h^=  
　　半導體激光器件，可分為同質(zhì)結(jié)、單異質(zhì)結(jié)、雙異質(zhì)結(jié)等幾種。同質(zhì)結(jié)激光器和單異質(zhì)結(jié)激光器室溫時多為脈沖器件，而雙異質(zhì)結(jié)激光器室溫時可實現(xiàn)連續(xù)工作。 _a_7
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　　半導體激光器具有體積小、效率高等優(yōu)點，廣泛應用于激光通信、印刷制版、光信息處理等方面。 XttqOf  
二、半導體激光器的結(jié)構與工作原理 CPgC