低溫多晶硅薄膜晶體管（多晶硅TFT）技術(shù)對高清晰度LCD仍抱有希望，但只是工程師們要對工藝結(jié)構(gòu)和驅(qū)動方法加以改進(jìn)才行，當(dāng)今，韓國的一個公司發(fā)明了一種技術(shù)，能加快比以往更明亮，分辯率更高的顯示器的推出。 vd'd@T  
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在傳統(tǒng)的主動矩陣LCD的設(shè)計中，薄膜晶體管是由無定形硅（a-Si）形成的。生產(chǎn)出來的晶體管用作各個像素的開關(guān)。這些設(shè)計都需要能把個人電腦的信號轉(zhuǎn)換成適合于顯示器和像素控制的幅度的附加電路。因為傳統(tǒng)的晶體管無法用來驅(qū)動這些象素開關(guān)，廠家必須把客戶的IC加到驅(qū)動和掃描功能的屏上。無定形硅晶體管的尺寸和功能也限制了每平方英寸能被照明的像素的數(shù)量。結(jié)果，當(dāng)今個人電腦用a-Si TFT LCD具有每平方英寸從60-90個像素（PPi）的范圍的像素密度。雖然能獲得200PPi左右的高分辯率的a-Si TFT-LCD一直沒有幾個，只要使用了外部驅(qū)動IC，就會有生產(chǎn)約束來限制這些顯示屏的商用可能性。 B?)=d,E  
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另一方面，已能生產(chǎn)出分辯率超過200PPi的低溫多晶硅（LTPS）TFT-LCD來。為了進(jìn)行比較起見，考慮典型的用人眼能分析的最高分辯率是大約350PPI。更好的是因為該工藝可消除掉驅(qū)動器IC和顯示屏間幾千個差帶式自動接合，這可減低成本并能提高顯示屏的可靠性。三星電子公司一直在使用該項技術(shù)并增加了改進(jìn)后的設(shè)計。 E>3fk  
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多晶硅顯示器是通過轉(zhuǎn)換無定形硅而制造出來的。就是用準(zhǔn)分子激光器將無定形硅熔化并重結(jié)晶。這項激光技術(shù)將電子的遷移率提高了100左右的象素，使屏幕晶體管比平常小。 G(XI TL u*  
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由于所有這些原因，LTPS TFT-LCD是高分辯率顯示器一項大有希望的技術(shù)，正吸引著移動和個人電子產(chǎn)品OEM包括移動電話、個人數(shù)字助理（PDA）和筆記本型小的電腦的許多廠家在內(nèi)的注意。由于集成門驅(qū)動IC和一個小的形式因素，為這些目的的LTPS TFT-LCD的優(yōu)點包括了LCD的對稱性。也就是說，顯示屏厚度薄而量輕。另外，LTPS TFT-LCD還具有功耗低的特性。此外，LTPS TFT-LCD產(chǎn)生的漏電較較小并且有輕微的摻雜漏電結(jié)構(gòu)和高的儲存能力。 T5+iX`#M  
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即使目前LTPS TFT 技術(shù)有了顯著的進(jìn)步，一些關(guān)鏈工藝、結(jié)構(gòu)和驅(qū)動方法，如果要滿足其商業(yè)預(yù)測的話，就需要進(jìn)行優(yōu)化。特別是緊接著的是準(zhǔn)分子激光晶體化（ELC）工藝，因此，a-Si沉積就需要加以改進(jìn)。 -] .Y";  
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TFT的結(jié)構(gòu)和工藝 uZ(j"y  
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除了幾個公司外，大多數(shù)LTPS TFT的廠家都給驅(qū)動電路使用了高級門結(jié)構(gòu)和CMOS。使用傳統(tǒng)的技術(shù)，復(fù)雜的TFT和CMOS工藝需要約9個光掩模，為了進(jìn)行包括LPCVD沉積和激活摻雜劑的爐子淬火在內(nèi)的一些中溫工藝，玻璃必須是昂貴的淬火或預(yù)先壓密的。 .<C}/Cl  
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