名稱(chēng)：釔（Y） > 8{w0hh;
三氧化二釔，（Y2O3）使用電子槍蒸鍍，該材料性能隨膜厚而變化，在500nm時(shí)折射率約為1.8.用作鋁保護(hù)膜其極受歡迎,特別相對(duì)于800—12000nm區(qū)域高入射角而言,可用作眼鏡保護(hù)膜,且24小時(shí)暴露于濕氣中.一般為顆粒狀和片狀. H^kOwmSzh
透光范圍(nm) 折射率(N)500nm 蒸發(fā)溫度（℃） 蒸發(fā)源 應(yīng)用 蒸氣成分 gnZ#86sO
250--8000 1．79 2300--2500 電子槍 防反膜，鋁保護(hù)膜 1y:fH4V
\LJ!X3TZ
名稱(chēng)：二氧化鈰（CeO2） ]d(Z%
使用高密度的鎢舟皿(較早使用)蒸發(fā),在200℃的基板上蒸著二氧化鈰,得到一個(gè)約為2.2的折射率,在大約3000nm有一吸收帶其折射率隨基板溫度的變化而發(fā)生顯著變化,在300℃基板500nm區(qū)域折射率為2.45,在波長(zhǎng)短過(guò)400nm時(shí)有吸收,傳統(tǒng)方法蒸發(fā)缺乏緊密性,用氧離子助鍍可取得n=2.35(500nm)的低吸收性薄膜,一般為顆粒狀,還可用一增透膜和濾光片等. ZhCd**
透光范圍(nm) 折射率(N)500nm 蒸發(fā)溫度（℃） 蒸發(fā)源 應(yīng)用 雜氣排放量 =_=%1rI~
400--16000 2.35 約2000 電子槍 防反膜， 多 G.O;[(3ab
1v:Ql\^cT
名稱(chēng)：氧化鎂(MgO) TI8\qIW
必須使用電子槍蒸發(fā)因該材料升華,堅(jiān)硬耐久且有良好的紫外線(UV)穿透性,250nm時(shí)n=1.86, 190nm時(shí)n=2.06. 166nm時(shí)K值為0.1, n=2.65.可用作紫外線薄膜材料.MGO/MGF2膜堆從200nm---400nm區(qū)域透過(guò)性良好,但膜層被限制在60層以?xún)?nèi)(由于膜應(yīng)力)500nm時(shí)環(huán)境基板上得到n=1.70.由于大氣CO2的干擾,MGO暴露表面形成一模糊的淺藍(lán)的散射表層,可成功使用傳統(tǒng)的MHL折射率3層AR膜(MgO/CeO2/MgF2). .Bkfe{^
ZFMO;'m&
名稱(chēng)：硫化鋅(ZnS) j7E;\AZ^
折射率為2.35, 400—13000nm的透光范圍,具有良好的應(yīng)力和良好的環(huán)境耐久性, ZnS在高溫蒸著時(shí)極易升華,這樣在需要的膜層附著之前它先在基板上形成一無(wú)吸附性膜層,因此需要徹底清爐,并且在最高溫度下烘干,花數(shù)小時(shí)才能把鋅的不良效果消除.HASS等人稱(chēng)紫外線(UV)對(duì)ZNS有較大的影響,由于紫外線在大氣中導(dǎo)致15—20nm厚的硫化鋅膜層完全轉(zhuǎn)變成氧化鋅(ZNO). 1d+Kn Jy
F^{31iU~CX
透光范圍(nm) 折射率(N)550nm 蒸發(fā)溫度（℃） 蒸發(fā)源 應(yīng)用 方式 b0' } BMJ
400--14000 2.35 1000--1100 電子槍,鉭鉬舟 防反膜， 升華 >k\p%{P
應(yīng)有:分光膜,冷光膜,裝飾膜,濾光片,高反膜,紅外膜. 5D<Zbn.>q
#xx.yn(7
名稱(chēng):二氧化鈦(TIO2) ~m<K5K6 V
TIO2由于它的高折射率和相對(duì)堅(jiān)固性,人們喜歡把這種高折射率材料用于可見(jiàn)光和近紅外線區(qū)域,但是它本身又難以得到一個(gè)穩(wěn)定的結(jié)果.TIO2, TI2O3. TIO, TI ,這些原材料氧—鈦原子的模擬比率分別為:2.0, 1.67, 1.5, 1.0, 0. 后發(fā)現(xiàn)比率為1.67的材料比較穩(wěn)定并且大約在550nm生成一個(gè)重復(fù)性折射率為2.21的堅(jiān)固的膜層,比率為2的材料第一層產(chǎn)生一個(gè)大約2.06的折射率,后面的膜層折射率接近于2.21.比率為1.0的材料需要7個(gè)膜層將折射率2.38降到2.21.這幾種膜料都無(wú)吸收性,幾乎每一個(gè)TIO2蒸著遵循一個(gè)原則:在可使用的光譜區(qū)內(nèi)取得可以忽略的吸收性,這樣可以降低氧氣壓力的限制以及溫度和蒸著速度的限制.TIO2需要使用IAD助鍍,氧氣輸入口在擋板下面. MzB.Vvsy%9
#@-dT,t
TI3O5比其它類(lèi)型的氧化物貴一些,可是很多人認(rèn)為這種材料不穩(wěn)定性的風(fēng)險(xiǎn)要小一些,PULKER等人指出,最后的折射率與無(wú)吸收性是隨著氧氣壓力和蒸著溫度而改變的,基板溫度高則得到高的折射率.例如,基板板溫度為400℃時(shí)在550納米波長(zhǎng)得到的折射率為2.63,可是由于別的原因,高溫蒸著通常是不受歡迎的,而離子助鍍已成為一個(gè)普遍采用的方法其在低溫甚至在室溫時(shí)就可以得到比較高的折射,通常需要提供足夠的氧氣以避免(因?yàn)橛形談t降低透過(guò)率),但是可能也需要降低吸收而增大鐳射損壞臨界值(LDT).TIO2的折射率與真空度和蒸發(fā)速度有很大的關(guān)系,但是經(jīng)過(guò)充分預(yù)熔和IAD助鍍可以解決這一難題,所以在可見(jiàn)光和近紅外線光譜中,TIO2很受到人們的歡迎. r{?qvl!q
BYdG K@ouk
在IAD助鍍TIO2時(shí),使用屏蔽柵式離子源蒸發(fā)則需要200EV,而用無(wú)屏蔽柵式離子源蒸發(fā)時(shí)則需要333EV或者更少一些,在那里平均能量估計(jì)大約是驅(qū)動(dòng)電壓的60%,如果離子能量超過(guò)以上數(shù)值,TIO2將有吸收.而SIO2有電子槍蒸發(fā)可以提供600EV碰撞(離子輻射)能量而沒(méi)有什么不良效應(yīng).
