隨著技術(shù)的發(fā)展，LED的效率有了非常大的進(jìn)步。在不久的未來(lái)LED會(huì)代替現(xiàn)有的照明燈泡。近幾年人們制造LED晶粒/芯片過(guò)程中首先在襯底上制作氮化鎵（GaN）基的晶圓(外延片)，晶圓所需的材料源(碳化硅SiC)和各種高純的氣體如氫氣H2或氬氣Ar等惰性氣體作為載體之后，按照制程的要求就可以逐步把晶圓做好。接下來(lái)是對(duì)LED-PN結(jié)的兩個(gè)電極進(jìn)行加工，并對(duì)LED毛片進(jìn)行減薄，劃片。然后對(duì)毛片進(jìn)行測(cè)試和分選，就可以得到所需的LED晶粒。具體的工藝做法，不作詳細(xì)的說(shuō)明。 FJC}xEMcN
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下面簡(jiǎn)單介紹一下LED芯片生產(chǎn)流程圖： rE5q
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總的來(lái)說(shuō)，LED制作流程分為兩大部分： "l7))>lL
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首先在襯低上制作氮化鎵（GaN）基的晶圓，這個(gè)過(guò)程主要是在金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積晶圓爐(MOCVD)中完成的。準(zhǔn)備好制作GaN基晶圓所需的材料源和各種高純的氣體之后，按照工藝的要求就可以逐步把外延片做好。常用的襯底主要有藍(lán)寶石、碳化硅和硅襯底，還有GaAs、AlN、ZnO等材料。 i4g99Kvl
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MOCVD是利用氣相反應(yīng)物（前驅(qū)物）及Ⅲ族的有機(jī)金屬和Ⅴ族的NH3在襯底表面進(jìn)行反應(yīng)，將所需的產(chǎn)物沉積在襯底表面。通過(guò)控制溫度、壓力、反應(yīng)物濃度和種類比例，從而控制鍍膜成分、晶相等質(zhì)量。MOCVD外延爐是制作LED外延片最常用的設(shè)備。 bi<?m^j
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然后是對(duì)LED PN結(jié)的兩個(gè)電極進(jìn)行加工，電極加工也是制作LED芯片的關(guān)鍵工序，包括清洗、蒸鍍、黃光、化學(xué)蝕刻、熔合、研磨；然后對(duì)LED毛片進(jìn)行劃片、測(cè)試和分選，就可以得到所需的LED芯片。如果芯片清洗不夠干凈，蒸鍍系統(tǒng)不正常，會(huì)導(dǎo)致蒸鍍出來(lái)的金屬層（指蝕刻后的電極）會(huì)有脫落，金屬層外觀變色，金泡等異常。 --'!5 )U
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蒸鍍過(guò)程中有時(shí)需用彈簧夾固定芯片，因此會(huì)產(chǎn)生夾痕（在目檢必須挑除）。黃光作業(yè)內(nèi)容包括烘烤、上光阻、照相曝光、顯影等，若顯影不完全及光罩有破洞會(huì)有發(fā)光區(qū)殘多出金屬。 hL(zVkYI
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晶粒在前段制程中，各項(xiàng)制程如清洗、蒸鍍、黃光、化學(xué)蝕刻、熔合、研磨等作業(yè)都必須使用鑷子及花籃、載具等，因此會(huì)有晶粒電極刮傷情形發(fā)生。
