摘要:本文詳細(xì)描述一種等離子體高效濺射系統(tǒng)及應(yīng)用工藝。此種嶄新的濺射技術(shù)組成的系統(tǒng)能做到實(shí)現(xiàn)成膜晶粒大小的控制。此外,應(yīng)用此技術(shù)的濺射膜材利用率要比現(xiàn)有所有濺射技術(shù)高很多,達(dá)到80%至90%。本文描述了應(yīng)用此技術(shù)鍍制不同的磁性記憶Cr膜,并給出了用X-ray及TEM手段對(duì)成膜晶粒度的分析結(jié)果,包括直方圖、平均晶粒度以及它們與濺射工藝的關(guān)系等。
gxI&f PEfE'lGj 索引術(shù)語:晶粒度控制,嶄新等離子體濺射,Cr薄膜
kJI3`gS+ MF&3e#mdB 1、簡介
|3 ;u"&(P h (qshbC} 在濺射過程中,有能力控制成膜晶粒大小及分布是很多工業(yè)應(yīng)用的基本要求,特別對(duì)于磁性存儲(chǔ)記憶膜等的應(yīng)用尤為如此。本文將詳細(xì)介紹一種嶄新的濺射
鍍膜技術(shù)以及應(yīng)用此技術(shù)構(gòu)建的系統(tǒng)。該系統(tǒng)的主要特點(diǎn)為有能力對(duì)濺射成膜的平均晶粒度進(jìn)行控制,而不用在襯底上事先制造子晶層。在不同的工藝條件下,做了一系列的Cr膜試驗(yàn),以確定最優(yōu)的工藝條件,從而保證得到包括平均晶粒直徑、標(biāo)準(zhǔn)偏差以及Cr膜晶相成因的最有組合。Cr及Cr合金膜對(duì)儲(chǔ)存記憶膜工業(yè)有著非常重要的意義。因?yàn)樗鼈儽挥米骺v向存儲(chǔ)介質(zhì)CoCrPt[1]或CoCrTa[2]膜的底層膜。底層Cr膜的晶粒成因以及大小以后存儲(chǔ)介質(zhì)層的生長[3]。具有更細(xì)晶粒及更均勻分布的
薄膜意味著將具有更高的存儲(chǔ)密度。但是,高存儲(chǔ)密度介質(zhì)膜的信號(hào)熱衰減特性要求晶粒具有高的磁性各向異性及窄的晶粒分布,即是晶粒要具有高的熱穩(wěn)定性,從而保證介質(zhì)膜有好的信-噪比?刂瞥赡て骄Я6却笮〖胺植紝(duì)得到高存儲(chǔ)密度和高熱穩(wěn)定性介質(zhì)膜至關(guān)重要。本文下節(jié)重點(diǎn)介紹這種嶄新的濺射技術(shù),以及在用這種技術(shù)組成的系統(tǒng)上作的晶粒生長與濺射工藝
參數(shù)關(guān)系的研究試驗(yàn)。
$pjf#P8U {,i=>%X* 2、高利用率等離子體濺射(High Target Utilization Plasma Sputtering(HiTUS))系統(tǒng)描述
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