跨入二十一世紀以來，紅外熱攝像技術(shù)的發(fā)展已經(jīng)歷了三十多個年頭。其發(fā)展已從當初的機械掃描機構(gòu)發(fā)展到了目前的全固體小型化全電子自掃描凝視攝像，特別是非致冷技術(shù)的發(fā)展使紅外熱攝像技術(shù)從長期的主要軍事目的擴展到諸如工業(yè)監(jiān)控測溫、執(zhí)法緝毒、安全防犯、醫(yī)療衛(wèi)生、遙感、設(shè)備先期性故障診斷與維護、海上救援、天文探測、車輛、飛行器和艦船的駕駛員夜視增強觀察儀等廣闊的民用領(lǐng)域。 X%sMna)  
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　　紅外熱攝像技術(shù)的發(fā)展速度主要取決于紅外探測器技術(shù)取得的進展。三十年來，紅外探測器技術(shù)已從第一代的單元和線陣列發(fā)展到了第二代的二維時間延遲與積分（TDI）8～12μm的掃描和3～5μm的640×480元InSb凝視陣列，目前正在向焦平面超高密度集成探測器元、高性能、高可靠性、進一步小型化、非致冷和軍民兩用技術(shù)的方向發(fā)展，正在由第二代陣列技術(shù)向第三代微型化高密度和高性能紅外焦平面陣列技術(shù)方向發(fā)展。 g2|qGfl{C  
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1 發(fā)展現(xiàn)狀 nl\l7/}6  
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　　1.1 超高集成度的焦平面探測器像元 qx;8Hq(E[  
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　　像可見光CCD之類的攝像陣列一樣，要提高系統(tǒng)成像的分辨率和目標識別能力，大幅度地提高系統(tǒng)焦平面紅外探測像元的集成度是一種重要的途徑。各公司廠家都在盡力增加焦平面陣列的像元數(shù)，發(fā)展各種格式的大型或特大型紅外焦平面陣列。 m8:9Uv  
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　　在1～3μm的短波紅外（SWIR）焦平面陣列方面，由于多年來的軍用都集中在中波紅外（MWIR）和長波紅外（LWIR）波段，因而SWIR焦平面陣列技術(shù)的發(fā)展受到忽略，但由于這個波段的許多應(yīng)用是MWIR和LWIR應(yīng)用達不到的，因而近幾年來加快了對SWIR焦平面陣列技術(shù)的發(fā)展步伐，目前的陣列規(guī)模已達到2048×2048元（400萬元）。 ';>A=m9(4%  
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　　·InGaAs紅外焦平面陣列：雖然實現(xiàn)短波紅外熱攝像的候選材料要求低溫冷卻工作，而且HgCdTe襯底失配率高，暗電流也高，唯有In0.53Ga0.47As的晶格常數(shù)與InP相同，暗電流密度低達3×10-8A/cm2，R0A＞2×106Ω.cm2，D*＞1013cmHz1/2W-1（室溫下），其光響應(yīng)峰值在0.9μm～1.7μm，可實現(xiàn)非致冷工作的高性能紅外焦平面陣列，其多年的光纖通信工業(yè)應(yīng)用使其具有大批量生產(chǎn)的能力，因而幾年來日益受到重視，美國傳感器無限公司在DARPA 和NVESD支持下正在加速發(fā)展這種非致冷的紅外焦平面陣列和攝像機技術(shù)，其陣列尺寸已達到320×240元。 c2o.
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　　　·HgCdTe陣列：由于軍用目的的需求，過去這種材料焦平面陣列技術(shù)的發(fā)展主要集中于中波和長波紅外波段應(yīng)用，但洛克威爾國際科學中心卻一直在發(fā)展1～3μm波段工作的HgCdTe焦平面陣列技術(shù)，其主要目的是天文和低背景應(yīng)用，該中心在90年代中期已制出HQWAⅡ-1 1024×1024元陣列，目前已研制成功世界上最大的HQWAⅡ-2型2048×2048元的陣列，該中心正在計劃研制4096×4096元的特大型陣列。 \$B%TY  
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