真正進行透明導(dǎo)電薄膜材料的研究工作還是19世紀(jì)末，當(dāng)時是在光電導(dǎo)的材料上獲得很薄的金屬薄膜。經(jīng)歷一段很長時間后的第二次世界大戰(zhàn)期間，關(guān)于透明導(dǎo)電材料的研究才進入一個新的時期，于是開發(fā)了由寬禁帶的n型簡并半導(dǎo)體SnO2材料，主要應(yīng)用于飛機的除冰窗戶玻璃。在1950年，第二種透明半導(dǎo)體氧化物In2O3首次被制成，特別是在In2O3里摻入錫以后，使這種材料在透明導(dǎo)電薄膜方面得到了普遍的應(yīng)用，并具有廣闊的應(yīng)用前景。 ??摻錫氧化銦（即Indium Tin Oxide, 簡稱ITO）材料是一種n型半導(dǎo)體材料，由于具有高的導(dǎo)電率、高的可見光透過率、高的機械硬度和化學(xué)穩(wěn)定性，因此它是液晶顯示器（LCD）、等離子顯示器（PDP）、電致發(fā)光顯示器（ EL/OLED）、觸摸屏（Touch Panel）、太陽能電池以及其它電子儀表的透明電極最常用的材料。 2QV|NQSl
1. ITO薄膜的基本性能 ?? U p: M[S
（1）、ITO薄膜的基本性能 ??ITO（In2O3:SnO2=9:1）的微觀結(jié)構(gòu)，In2O3里摻入Sn后，Sn元素可以代替In2O3晶格中的In元素而以SnO2的形式存在，因為In2O3中的In元素是三價，形成SnO2時將貢獻一個電子到導(dǎo)帶上，同時在一定的缺氧狀態(tài)下產(chǎn)生氧空穴，形成1020至1021cm-3的載流子濃度和10至30cm2/vs的遷移率。這個機理提供了在10-4Ω.cm數(shù)量級的低薄膜電阻率，所以ITO薄膜具有半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能。 ?? BE," lX
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ITO是一種寬能帶薄膜材料，其帶隙為3.5-4.3ev。紫外光區(qū)產(chǎn)生禁帶的勵起吸收閾值為3.75ev，相當(dāng)于330nm的波長，因此紫外光區(qū)ITO薄膜的光穿透率極低。同時近紅外區(qū)由于載流子的等離子體振動現(xiàn)象而產(chǎn)生反射，所以近紅外區(qū)ITO薄膜的光透過率也是很低的，但可見光區(qū)ITO薄膜的透過率非常好。 ?? 6?3\P>`3Y
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由以上分析可以看出，由于材料本身特定的物理化學(xué)性能，ITO薄膜具有良好的導(dǎo)電性和可見光區(qū)較高的光透過率。 ?? 93y!x}
（2）.影響ITO薄膜導(dǎo)電性能的幾個因素 ?? :Pi ="
ITO薄膜的面電阻（R□）、膜厚（d）和電阻率（ρ）三者之間是相互關(guān)聯(lián)的，下面給出了這三者之間的計算公式。即?? e>$E67h<~
R□=ρ/ d （1） ?? (rjv3=9\3
由公式（1）可以看出，為了獲得不同面電阻（R□）的ITO薄膜，實際上就是要獲得不同的膜厚和電阻率。一般來講，制備ITO薄膜時要得到不同的膜層厚度比較容易，可以通過調(diào)節(jié)薄膜沉積時的沉積速率和沉積的時間來制取所需要膜層的厚度，并通過相應(yīng)的工藝方法和手段能進行精確的膜層厚度和均勻性控制。?? M H _3nN
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而ITO薄膜的電阻率（ρ）的大小則是ITO薄膜制備工藝的關(guān)鍵，電阻率（ρ）也是衡量ITO薄膜性能的一項重要指標(biāo)。公式（2）給出了影響薄膜電阻率（ρ）的幾種主要因素 ρ=m*/ne2τ (2) ?? }<G#bh6;Q
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式（2）中，n、τ分別表示載流子濃度和載流子遷移率。當(dāng)n、τ越大，薄膜的電阻率（ρ）就越小，反之亦然。而載流子濃度（n）與ITO薄膜材料的組成有關(guān)，即組成ITO薄膜本身的錫含量和氧含量有關(guān)，為了得到較高的載流子濃度（n）可以通過調(diào)節(jié)ITO沉積材料的錫含量和氧含量來實現(xiàn);而載流子遷移率（τ）則與ITO薄膜的結(jié)晶狀態(tài)、晶體結(jié)構(gòu)和薄膜的缺陷密度有關(guān)，為了得到較高的載流子遷移率（τ）可以合理的調(diào)節(jié)薄膜沉積時的沉積溫度、濺射電壓和成膜的條件等因素。 ?? u/X1v -2
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所以從ITO薄膜的制備工藝上來講，ITO薄膜的電阻率不僅與ITO薄膜材料的組成(包括錫含量和氧含量)有關(guān)，同時與制備ITO薄膜時的工藝條件（包括沉積時的基片溫度、濺射電壓等）有關(guān)。有大量的科技文獻和實驗分析了ITO薄膜的電阻率與ITO材料中的Sn、O2元素的含量，以及ITO薄膜制備時的基片溫度等工藝條件之間的關(guān)系，因此本文中不再熬述。 Y kcN-
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2.ITO薄膜制成設(shè)備在國內(nèi)的發(fā)展 ??在國內(nèi)，ITO薄膜設(shè)備的制造和發(fā)展是20世紀(jì)80年代開始的，主要是一些單體式的真空鍍膜設(shè)備，由于ITO工藝和制成方法的限制，因此產(chǎn)品品質(zhì)較差、產(chǎn)量較小，當(dāng)時的產(chǎn)品主要用作普通的透明電極和太陽能電池等方面。 ?? X h"8uJD
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20世紀(jì)90年代初，隨著LCD器件的飛速發(fā)展，對ITO薄膜產(chǎn)品的需求量也是急劇的增加，國內(nèi)部分廠家紛紛開始從國外引進一系列整廠ITO鍍膜生產(chǎn)線，但由于進口設(shè)備的價格昂貴，技術(shù)服務(wù)不方便等因素，使許多廠商還是望而卻步。我國充分利用自身的技術(shù)優(yōu)勢和合理的整合各個方面的外部資源，開始了ITO薄膜工藝的開發(fā)和設(shè)備的研制，先后研制和推出了四代大型平板顯示ITO薄膜生產(chǎn)線不但滿足了市場的需要，同時也進一步推動了ITO薄膜技術(shù)在中國的發(fā)展。 ?? lag%} ^
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80年代末，中國誕生了第一條TN-LCD用ITO連續(xù)鍍膜生產(chǎn)線。該生產(chǎn)線采用的工藝路線是將銦錫合金材料利用直流磁控濺射的原理沉積到基片的表面，并進行高溫氧化處理，將銦錫合金薄膜轉(zhuǎn)換成所需的ITO薄膜。這種生產(chǎn)線的特點是設(shè)備的產(chǎn)能較低，質(zhì)量較差，工藝調(diào)節(jié)復(fù)雜。 ??90年代中期，隨著國內(nèi)LCD產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，對ITO產(chǎn)品的需求量增大的同時，對產(chǎn)品的質(zhì)量有了新的要求，因此出現(xiàn)了第二代ITO鍍膜生產(chǎn)線。該生產(chǎn)線不僅產(chǎn)量比第一代生產(chǎn)線有了大幅度的提升，同時由于直接采用ITO陶瓷靶材沉積ITO薄膜，并兼容了射頻磁控濺射沉積SiO2薄膜的工藝，使該生產(chǎn)線無論從產(chǎn)品的質(zhì)量上、還是工藝可控性等方面與第一代生產(chǎn)線相比均有了質(zhì)的飛躍。? ?? =^gZJ@
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隨著反射式LCD，增透式LCD、LCOS圖影機背投電視等顯示器件的發(fā)展，對ITO薄膜產(chǎn)品提出了新的要求，SiO2/ITO兩層膜結(jié)構(gòu)的ITO薄膜材料滿足不了使用的需要，而比須采用多層復(fù)合膜系已達到產(chǎn)品的高反射性、或高透過率等光學(xué)性能要求。豪威公司積累多年的設(shè)計開發(fā)經(jīng)驗，推出了第四代大型多層薄膜生產(chǎn)線。該生產(chǎn)線由15個真空室組成，采用全分子泵無油真空系統(tǒng)、使用了RF/MF/DC三種磁控濺射工藝、通過PEM/PCV進行工藝氣體的控制。該生產(chǎn)線具有連續(xù)沉積五層薄膜的能力，主要能生產(chǎn)以下一些膜系的薄膜： 1） Al/SiO2/TiO2/SiO2/TiO2 2） ITO/SiO2/TiO2/SiO2/TiO2 3） ITO/Ag/ITO（OLED用） 4） 其它多層膜產(chǎn)品隨著PDA、電子書等觸摸式輸入電子產(chǎn)品的悄然興起，相應(yīng)材料的制成設(shè)備也應(yīng)運而生。由于觸摸式產(chǎn)品工作原理的特殊性，其所需的ITO薄膜必須是在柔性材料（PET）上制成的，薄膜的沉積溫度不能太高（小于120℃），同時要求ITO膜層較薄、面電阻高而且均勻，所以對ITO薄膜的沉積工藝提出了嚴(yán)格的要求。圖10所示是一條多層膜卷然式鍍膜設(shè)備，專門制作觸摸屏用ITO薄膜等相關(guān)薄膜產(chǎn)品。 ?? #Ue_
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產(chǎn)品有： ??1）ITO/SiO2 （Touch Panel用） ??2）ITO/SiO2 （LCD用）??3）AR-Film （SiO2/TiO2/SiO2/TiO2）??4）Cu/Cr f#zm}+,`
隨著有機電致發(fā)光顯示器（OLED）以及其它顯示器件的發(fā)展，對ITO薄膜的制成工藝和設(shè)備將會有更新、更高的要求，同時也有力的推動了ITO薄膜制成設(shè)備的發(fā)展.
