引言 * 5P/&*c|  
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早在80年代初，理論預(yù)言：量子點(diǎn)激光器的性能與量子階激光器或量于線激光器相比，具有更低的閡值電流密度，更高的特征溫度和更高的增益等優(yōu)越特性[1,2]。這主要由于在量子點(diǎn)材料(又稱零維材料)中，載流子在三個運(yùn)動方向上受到限制，載流于態(tài)密度與能量關(guān)系為6函數(shù)，因而具有許多獨(dú)特的物理性質(zhì)，如量子效應(yīng)、量子隧穿、非線性光學(xué)等，極大地改善了材料的性能。因此，不但在基礎(chǔ)物理研究方面意義重大，而且在新型量子器件等方面顯示出廣闊的應(yīng)用前景。目前，零維材料結(jié)構(gòu)及其應(yīng)用為國際上最前沿的研究領(lǐng)域之一，仍處于探索階段。90年代初，利用MBE和MOCVD技術(shù)，通過Stranski—Krastanow(S—K)模式生長In(Ga)As/GaAs自組裝量子點(diǎn)等零維半導(dǎo)體材料有了突破性的進(jìn)展，生長出品格較完整，尺寸較均勻，且密度和發(fā)射率較高的InAs量子點(diǎn)，并于1994年制備出近紅外波段InGaAs/GaAs量子點(diǎn)激光器[3]。目前國際上已有一些實(shí)驗(yàn)室制備了In(Gs)As/GnAs量子點(diǎn)激光器[4-10]。本文報(bào)道我們在原有的基礎(chǔ)上[4]優(yōu)化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和生長工藝，制備出低閡值電流密度和大功率量子點(diǎn)激光器，并用光致發(fā)光(PL)、電致發(fā)光(EL)、原子力顯微鏡(AFM)和高分辨率透射電鏡(TEM)等對InAs/GaAs量子點(diǎn)垂直耦合結(jié)構(gòu)材料進(jìn)行研究。 hZzsZQ`  
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