1. 背景知識(shí) />S^`KSTM  
光學(xué)薄膜泛指在器件表面用物理化學(xué)等方法沉積，利用光的干涉現(xiàn)象以實(shí)現(xiàn)增透、高反射、濾光、分光等光學(xué)現(xiàn)象。例如采用減反射膜后可使復(fù)雜的光學(xué)鏡頭的光通量損失成十倍地減��；采用高反射比的反射鏡可使激光器的輸出功率成倍提高；利用光學(xué)薄膜可提高太陽能電池的效率和穩(wěn)定性。 )*]A$\Oc[  
2. 設(shè)備能力 v;<gCzqQh  
OTFC-900型自動(dòng)高精度光學(xué)薄膜鍍膜機(jī)是一種通用型的高檔光學(xué)鍍膜設(shè)備，適用從于從紫外到紅外各種光學(xué)玻璃和晶體上鍍制減反射膜,高反射膜,分光膜和濾光膜及其它多層光學(xué)薄膜。 %42a>piev  
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1） 真空室尺寸：直徑900毫米，高度約1300毫米 =Pl@+RgK+  
2） 排氣性能 [j0[c9.p[  
粗抽真空：從大氣壓到50Pa真空，8分鐘以內(nèi) [Jt}^  
極限真空：低于5.0E-5Pa　 T%eBgseS  
恢復(fù)真空：15分鐘之內(nèi)達(dá)到8.0E-4Pa 8D )nM|  
漏氣速率：低于5.0E-3Pa・L/sec *,$5EN  
3） 基板加熱特性 U9:)qvMXe  
最大設(shè)定溫度: 350℃ X 61|:E  
加熱40分鐘以內(nèi)，能到達(dá)300℃ n>ui'}L  
溫度均勻性: 300℃±10℃(加熱40分鐘后) GJ*IH9YR  
4） 電子槍/電源(JEOL制) L?[m$l!T}  
電子槍（BS-60050EBS）： &|k=mxox\  
(10kW，270°偏轉(zhuǎn)) xx`YBn~"  
電壓 -4～-10kV(連續(xù)可變) {1Ra|,;  
5） 坩堝 GGuU(sL*  
環(huán)形坩堝：φ302×φ228×H15mm環(huán)狀、材質(zhì)Cu vdq=F|&  
15點(diǎn)坩堝：外徑尺寸φ35×H17mm、材質(zhì)Cu 0P5VbDv$r7  
6） 離子源 WVa%<  
離子流密度分布均勻；利用離子源進(jìn)行基片清潔和輔助鍍膜時(shí)，基片表面質(zhì)量無損傷 -"I$$C  
a) 射頻離子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm） Qfn:5B]tI  
柵網(wǎng)尺寸：10cm _Z0 .c@0  
最大射頻功率：600W（13.56MHz） %b^4XTz  
束電圧：100V～1500V t<Acq07  
最大束電流：500mA @njNP^'Kx  
離子流密度分布：±10%以內(nèi) s6|'s
<x"j  
加速電壓：100V～1000V 2PlhnU