Ⅲ 族氮化物半導(dǎo)體材料廣泛用于紫、藍(lán)、綠和白光發(fā)光二極管，高密度光學(xué)存儲(chǔ)用的紫光激光器，紫外光探測(cè)器，以及高功率高頻電子器件。然而由于缺乏合適的襯底，目前高質(zhì)量的GaN膜通常都生長(zhǎng)在藍(lán)寶石或SiC襯底上，但是這兩種襯底部都比較昂貴，尤其是碳化硅，而且尺寸都比較小。藍(lán)寶石還有硬度極高和不導(dǎo)電的缺點(diǎn)。為克服上述缺點(diǎn)，人們?cè)谟霉枳饕r底生長(zhǎng)GaN方面一直不斷地進(jìn)行探索。由于GaN材料的電熒光對(duì)晶體缺陷并不敏感，因此人們預(yù)期在Si襯底上異質(zhì)外延生長(zhǎng)Ⅲ族氮化物發(fā)光器件在降低成本方面具有明顯的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。 ]F;1