麻省理工學(xué)院(MIT)的研究人員們宣稱已經(jīng)開發(fā)出了一種新技術(shù)，能將用于芯片圖案蝕刻的高速電子束光刻的分辨率尺度推進到9nm(納米)，遠遠超出人們此前的預(yù)想。MIT表示，電子束光刻工具之前最小的形體尺寸是25nm，而他們的新發(fā)現(xiàn)將會大大延長電子束光刻技術(shù)在半導(dǎo)體制造業(yè)中的壽命。 2uIAnbW]M  
7~'@m(9e  
MIT透露，他們的這次突破主要得益于兩點，一是使用更薄的絕緣層來盡量避免電子散射，二是使用特殊材料對接收電子較多的區(qū)域進行了加固。 X6RM2  
9[Mu  
多年來，半導(dǎo)體廠商一直在努力用極紫外光刻(EUV)取代傳統(tǒng)的光學(xué)蝕刻技術(shù)，但是EUV的批量投產(chǎn)一再推遲，現(xiàn)在最樂觀的預(yù)計是等到2012-13年的22nm半世代節(jié)點工藝。即便如此，EUV也面臨著很多技術(shù)難題，短期內(nèi)難以普及。