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dumoty:SiO打底200nm,石英環(huán)/Ti3O5,4層,離子輔助沉積 ;BR`}~m 冷鍍不加溫,抽一個半小時 g`skmHS89 基片超聲波清洗,洗后75°退火2小時 Pc*+QtQ 鍍完再退火2小時 (2018-08-09 11:11) +6xEz67A<
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