為了滿足超大規(guī)模集成電路的發(fā)展需要, 投影光刻技術(shù)得到了飛速發(fā)展, 投影光刻機(jī)分辨力的提高始終成為微光刻技術(shù)的核心問(wèn)題。i 線和深紫外( 2 4 8n m ) 光學(xué)光刻與x 射線光刻相比就實(shí)現(xiàn)技術(shù)難點(diǎn)和實(shí)現(xiàn)成本而言, 已成為亞半微米微細(xì)圖形制造工藝技術(shù)中的首選設(shè)備。然而靠增大數(shù)值孔徑和縮短曝光波長(zhǎng)提高實(shí)際分辨力是有限的, 這主要是由于焦深會(huì)隨數(shù)值孔徑的增大和波長(zhǎng)的縮短而迅速減小, 在現(xiàn)有的半導(dǎo)體制作工藝水平下難以實(shí)現(xiàn)。為此, 尋求既不影響焦深又能提高分辨力的新方法已成為近年來(lái)人們研究的熱點(diǎn), 出現(xiàn)了諸如離軸照明, 移相掩模, 光瞳濾波, 表面成像和多焦面曝光等新技術(shù)。
