為了滿足超大規(guī)模集成電路的發(fā)展需要, 投影光刻技術(shù)得到了飛速發(fā)展, 投影光刻機(jī)分辨力的提高始終成為微光刻技術(shù)的核心問題。i 線和深紫外( 2 4 8n m ) 光學(xué)光刻與x 射線光刻相比就實(shí)現(xiàn)技術(shù)難點(diǎn)和實(shí)現(xiàn)成本而言, 已成為亞半微米微細(xì)圖形制造工藝技術(shù)中的首選設(shè)備。然而靠增大數(shù)值孔徑和縮短曝光波長(zhǎng)提高實(shí)際分辨力是有限的, 這主要是由于焦深會(huì)隨數(shù)值孔徑的增大和波長(zhǎng)的縮短而迅速減小, 在現(xiàn)有的半導(dǎo)體制作工藝水平下難以實(shí)現(xiàn)。為此, 尋求既不影響焦深又能提高分辨力的新方法已成為近年來人們研究的熱點(diǎn), 出現(xiàn)了諸如離軸照明, 移相掩模, 光瞳濾波, 表面成像和多焦面曝光等新技術(shù)。
