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    [分享]超快激光器用于消費(fèi)電子產(chǎn)品加工 [復(fù)制鏈接]

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    只看樓主 倒序閱讀 樓主  發(fā)表于: 2016-11-21
    如今,超快激光器 (飛秒和皮秒脈寬)是工業(yè)生產(chǎn)過(guò)程中的一個(gè)重要組成部分。憑借其高質(zhì)量的非熱材料加工能力,再加上在激光技術(shù)、工藝開(kāi)發(fā)、光束控制和傳輸?shù)确矫娴倪M(jìn)步,從而進(jìn)一步擴(kuò)大了超快激光器在工業(yè)市場(chǎng)上的應(yīng)用范圍。不過(guò),為了維持投入和產(chǎn)出的平衡,必須同時(shí)滿足以下條件:首先必需證明其在工業(yè)加工過(guò)程中的技術(shù)可行性,由于超快激光和物質(zhì)之間的相互作用具有獨(dú)特性,因而需要對(duì)這一過(guò)程有一個(gè)精細(xì)的科學(xué)的理解;其次,工業(yè)生產(chǎn)的生產(chǎn)率必須確保能給終端用戶帶來(lái)與其投資相匹配的收益,這勢(shì)必推動(dòng)在光束控制和傳輸方面的進(jìn)步,以充分利用潛在的加工速度。 fap`;AuwK  
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      消費(fèi)電子產(chǎn)品領(lǐng)域顯然提供了最多的證據(jù)。手機(jī)、微處理器、顯示器、內(nèi)存芯片都是極其復(fù)雜的組件,由大量的不同材料、尺寸很小、厚度極小的多層材料組成。因而需要先進(jìn)的、高精密度的加工能力,以及在經(jīng)濟(jì)上可行的大批量生產(chǎn)的能力。下面舉例說(shuō)明為什么我們需要同步發(fā)展加工、激光技術(shù)以及新的光束傳輸技術(shù),來(lái)滿足目前以及未來(lái)可能出現(xiàn)的挑戰(zhàn)。 ~y<0Cc3Vs  
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      制造手機(jī)、平板電腦或電視用的平板顯示器是如今最復(fù)雜的技術(shù)之一,困難程度類似或更甚于二十世紀(jì)六十年代的阿波羅計(jì)劃。不同的生產(chǎn)步驟涉及了大量不同的材料,它們具有微米級(jí)的橫向分辨率和數(shù)十納米的厚度。由于整個(gè)過(guò)程都很有難度,將工業(yè)生產(chǎn)率(能通過(guò)嚴(yán)格的質(zhì)量檢測(cè)的產(chǎn)品比例)視為一項(xiàng)機(jī)密和挑戰(zhàn)也就不足為奇了。一個(gè)關(guān)鍵的限制是壞點(diǎn)在面板上的存在,這將阻礙屏幕的商業(yè)化。在過(guò)去幾年中開(kāi)發(fā)了幾種不同的修復(fù)工藝,通常都涉及多波長(zhǎng)納秒激光器。例如,通過(guò)激光碳化或者切割控制像素的薄膜晶體管的電極,來(lái)修復(fù)一個(gè)亮的像素(圖1)。 on_h'?2  
    圖1:薄膜晶體管電極切割,切割寬度為1.9μm。(圖片由韓國(guó)金屬和機(jī)械研究所提供)
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      當(dāng)前的技術(shù)已經(jīng)達(dá)到極限。因?yàn)樵诟咔迤聊坏姆直媛史矫娴倪M(jìn)步,像素的尺寸變得越來(lái)越小,與之相關(guān)的納秒激光器加工的熱效應(yīng)限制了修復(fù)的質(zhì)量。此外,包括有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)和有源矩陣發(fā)光二極管(AMOLED)在內(nèi)的新的顯示技術(shù)廣泛使用了有機(jī)和高分子材料,這些材料對(duì)加熱高度敏感,因而與熱處理格格不入。由于脈沖持續(xù)時(shí)間非常短,所以超快激光實(shí)際上很適合非熱微加工,也不會(huì)產(chǎn)生熱。它們?cè)谙冗M(jìn)的屏幕修復(fù)加工領(lǐng)域的應(yīng)用日益擴(kuò)大,從而推動(dòng)了新一代緊湊的高速多波長(zhǎng)超快激光器的發(fā)展。 m<CrkKfpG  
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      一些工業(yè)加工過(guò)程已經(jīng)開(kāi)始利用高精度的超快激光加工。這包括選擇性燒蝕(通?梢詫(shí)現(xiàn)精確到30nm/脈沖的燒蝕率),以及高精度薄膜晶體管電極切割,切割寬度小于2μm。這些加工過(guò)程需要開(kāi)發(fā)先進(jìn)靈活的光束整形技術(shù),以獲得平頂光束并確保其均勻傳輸,并能塑形成樣品的形狀,尺寸低至2×2μm。 P5Xp #pa  
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      在另外一個(gè)例子中,半導(dǎo)體電路變得越來(lái)越復(fù)雜,它們要求在更小的尺寸上集成更多的功能。因此,現(xiàn)在的晶片是由許多層的多種材料組成,例如適用于快速運(yùn)行的低介電常數(shù)材料。半導(dǎo)體制造業(yè)中的一個(gè)重要的過(guò)程就是晶圓的劃切和分離,即將一個(gè)晶圓切割成單獨(dú)的晶片(如圖2)。傳統(tǒng)上來(lái)說(shuō)是用金剛石鋸的加工方法,但是目前的技術(shù)已經(jīng)達(dá)到了極限。由于低介電常數(shù)材料的脆性、較低的厚度和較多的層數(shù),發(fā)生裂紋和分層剝離等負(fù)面影響的幾率不斷升高。 2j s/>L0  
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    圖2:半導(dǎo)體晶圓切割和劃片。(本圖片由Amplitude Systemes提供)
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      盡管紫外納秒激光加工的使用獲得推動(dòng),但是納秒激光加工帶來(lái)的熱效應(yīng)仍然大大限制了加工結(jié)果的質(zhì)量。另一方面,超快激光展示出在加工硅和高質(zhì)量多層材料方面的能力。直到最近,超快激光在平均功率方面的限制仍然是一個(gè)主要的問(wèn)題,這嚴(yán)重限制了總的生產(chǎn)效率。如今具備高可靠性的工業(yè)級(jí)飛秒激光器的功率在50-100W之間,這使其生產(chǎn)能力可以與工業(yè)要求相匹配。 ]Lv