IBM日前，在日本京都宣布，該公司研究團隊在晶體管的制造上取得了巨大的突破——在一個指甲大小的芯片上，從集成200億個7納米晶體管飛躍到了300億個5納米晶體管。據(jù)美國電氣和電子工程師協(xié)會（IEEE）《光譜》雜志6日報道，這一出色表現(xiàn)有望挽救瀕臨極限的摩爾定律，使電子元件繼續(xù)朝著更小、更經(jīng)濟的方向發(fā)展。 , *qCf@$I  
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目前最先進的晶體管是finFET，以芯片表面投射的載硫硅片翅片狀隆起而命名，其革命性突破的關鍵在于，在三維結構而非二維平面上控制電流的傳遞。這種設計可應用于10納米甚至7納米節(jié)點芯片。但是，隨著芯片尺寸越來越小，電流變得愈發(fā)難以關閉，即使使用這種先進的三面“門”結構，仍會發(fā)生電子泄漏。 )bx_;9Y{  
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半導體行業(yè)一直致力于打造5納米節(jié)點替代方案。IBM此次宣布的最新結構中，每個晶體管由三層堆疊的水平薄片組成，每片只有幾納米厚度，完全被柵極包圍，能防止電子泄漏并節(jié)省電力，被稱為“全包圍門”結構。 ~ d^<_R