據(jù)外媒報(bào)道，約翰·霍普金斯大學(xué)（Johns Hopkins University）帶隊(duì)研發(fā)了新款金屬薄膜，未來該材料或?qū)⒈挥糜谥圃?span onclick="sendmsg('pw_ajax.php','action=relatetag&tagname=傳感器',this.id)" style="cursor:pointer;border-bottom: 1px solid #FA891B;" id="rlt_1">傳感器等微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）設(shè)備，其抗拉強(qiáng)度、耐熱、耐高溫性能比硅強(qiáng)。 4M0
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硅的耐熱、抗壓性能不足 *v:,rh  
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當(dāng)今科技日新月異，無論是汽車、物聯(lián)網(wǎng)、發(fā)動(dòng)機(jī)還是公用設(shè)施都離不開微型傳感器的支持與推動(dòng)。然而，問題在于這類傳感器通常由硅制成，但硅物理特性上的不足使其未來應(yīng)用受限。 zFdz]z3  
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約翰·霍普金斯大學(xué)材料科學(xué)家兼機(jī)械工程師Kevin J. Hemker攜團(tuán)隊(duì)已在新材料研發(fā)方面取得成功，該材料有助于確保這類傳感器（即人們熟知的“微機(jī)電系統(tǒng)”MEMS）能繼續(xù)滿足未來技術(shù)前沿的要求。 /H;kYx  
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該校威汀工程學(xué)院（Whiting School of Engineering）機(jī)械工程學(xué)（Mechanical Engineering）的Hemker表示：“多年前，我們就開始嘗試采用更為復(fù)雜的復(fù)合材料制造MEMS設(shè)備�！� e\ l,gQP  
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大多數(shù)微機(jī)電設(shè)備（MEMS）內(nèi)部結(jié)構(gòu)復(fù)雜，其尺寸比人類發(fā)絲的寬度還要小，主要成分為硅。在常溫下，該類設(shè)備運(yùn)作良好，但在適度受熱（加熱幾百攝氏度）后，該材料將導(dǎo)致其喪失強(qiáng)度及電子訊號(hào)的傳導(dǎo)能力。此外，硅較脆，易破碎。 /qkIoF2  
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盡管如此，硅一度是微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)的核心材料，其產(chǎn)品歷經(jīng)數(shù)代而不衰。然而，如今該材料卻并未制造商們的理想選擇，未來這類MEMS設(shè)備將被用于物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的相關(guān)設(shè)備中，該類設(shè)備對(duì)材質(zhì)的耐高溫、耐高壓的要求很高。顯而易見，硅無法勝任該要求。 L1Cn  
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研發(fā)新款合金薄膜 d"d)<f   
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Hemker表示：“這就要求科研人員研發(fā)強(qiáng)度與密度更大，導(dǎo)電、導(dǎo)熱能力更強(qiáng)的先進(jìn)材料。此外，對(duì)形狀維持的要求也較高，其制作及塑形務(wù)必要符合微觀標(biāo)準(zhǔn)。據(jù)稱，目前尚無符合上述特性的MEMS材料�！� yz2oS|0