近日，中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所相變存儲器課題組在三維存儲器設(shè)計領(lǐng)域取得進展，研究成果以A Single-Reference Parasitic-Matching Sensing Circuit for 3-D Cross Point PCM為題，發(fā)表在IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs上。 e2yCWolmTS  
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　　相變存儲器利用電脈沖誘導(dǎo)存儲材料在非晶態(tài)與晶態(tài)之間切換，具有非揮發(fā)性、循環(huán)壽命長、寫入速度快、穩(wěn)定性好、功耗低等優(yōu)點，被業(yè)界認(rèn)為是下一代存儲技術(shù)的最佳解決方案之一。 F+ %l= fs  
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