延續(xù)了半個多世紀的摩爾定律預計將在2020年左右失效，硅基光電集成技術(shù)有望接替微電子成為未來信息技術(shù)的基石，但硅基光電子集成技術(shù)的實用化面臨缺少硅基片上光源這一最后障礙。因此，硅基片上光源是當前半導體技術(shù)皇冠上的明珠，其研制成功將引領(lǐng)整個硅基光電子集成技術(shù)的重大變革。硅光電集成技術(shù)處于前沿探索階段的半導體量子計算芯片的核心地位，可為集成在同一個芯片上的量子器件與光電器件提供信息交換和通信。 0CTI=<;  
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　　國際上，已提出硅量子點、硅鍺超晶格、鍺錫合金、應變鍺、III-V族與硅的混合集成、稀土元素摻雜、硅同素異晶體等硅基片上光源方案，但迄今還沒有可用于硅光電集成技術(shù)的實用化光源。硅量子點在1988年被制備出后，得到廣泛研究，成為實現(xiàn)硅發(fā)光的有力候選者，但硅量子點的發(fā)光機制及是否高效發(fā)光存在爭議。2010年，荷蘭阿姆斯特丹大學教授Gregorkiewicz研究組發(fā)表在Nature Nano的論文，發(fā)現(xiàn)高能熱PL峰隨硅量子點的變小在能量上發(fā)生反常的顯著紅移，而基態(tài)PL峰跟預期的一樣在量子束縛效應作用下發(fā)生藍移，這個高能PL峰來自硅的Г-Г直接帶隙躍遷。如果這一結(jié)論成立，那么，由此外推可以發(fā)現(xiàn)當硅量子點縮小到2納米以下后可以實現(xiàn)由間接帶隙到直接帶隙的轉(zhuǎn)變，從而實現(xiàn)硅量子點直接帶隙發(fā)光，論文一經(jīng)發(fā)表后立即引起廣泛關(guān)注和跟進研究。 .Ta$@sP