近日，中國科學院長春光學精密機械與物理研究所副研究員曾慶輝課題組，提出一種新的簡單易行的操作方法合成了不同鹵素摻雜的全可見光譜區(qū)高性能CsPbX3（X=Cl, Br, I）鈣鈦礦量子點，所制備的鈣鈦礦量子點熒光量子效率最高可達95%（是目前國際上報道的鈣鈦礦量子點樣品的最高值），半峰寬最窄可以達到9nm（是目前國際上報道的量子點樣品的最小值），穩(wěn)定性得到顯著提高，該工作對鈣鈦礦量子點的制備及其在光電器件領(lǐng)域的應用具有重要意義。研究成果發(fā)表在ACS Applied Materials & Interfaces上。 7L-%5:1%  
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　　量子點，又稱為半導體納米晶，由于其優(yōu)異的光學性能（如激發(fā)譜線寬、發(fā)射譜線窄、熒光效率高、量子尺寸效應等），在生物醫(yī)學、LED和太陽能電池等光電領(lǐng)域得到廣泛的應用研究，熒光效率和穩(wěn)定性越高、半峰寬越窄（單色性越好），量子點在這些領(lǐng)域的應用前景就會越廣闊。近年，鹵素摻雜CsPbX3（X=Cl，Br，I）鈣鈦礦量子點（PQDs）由于其具有較高的熒光量子產(chǎn)率、窄的熒光發(fā)射光譜和熒光顏色隨鹵素摻雜不同可調(diào)等優(yōu)異的光學性能，進一步受到科研工作者的關(guān)注。迄今為止，CsPbX3鈣鈦礦量子點的穩(wěn)定性依然是亟待解決的科學難題。糾其原因主要是傳統(tǒng)的CsPbX3鈣鈦礦量子點，尤其是混合鹵素的CsPbX3鈣鈦礦量子點的制備多數(shù)是在較低溫度（40℃）下通過陰離子交換技術(shù)來完成，這種陰離子交換過程往往導致熒光效率和穩(wěn)定性的降低。 W>DpDrO4ml  
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　　研究人員的工作，旨在提高CsPbX3（X=Cl，Br，I）鈣鈦礦量子點的熒光效率和穩(wěn)定性。與之前報道的在40℃下通過陰離子交換技術(shù)獲得的CsPbX3鈣鈦礦量子點不同，研究人員通過熱注入技術(shù)直接在高溫條件下（～180℃）合成單一或者混合鹵素CsPbX3鈣鈦礦量子點。通過曾慶輝等研究人員的合成方法，表面配體可以更有效地配位到鈣鈦礦量子點的表面上，從而有利于改善其光學性能，提高其穩(wěn)定性。實驗過程中，研究人員使用相對綠色安全的油酸（OA）/油胺（OAm）雙配體來代替?zhèn)鹘y(tǒng)的具有較高毒性的OA/OAm/TOP多配體混合物來合成CsPbX3鈣鈦礦量子點。與先前的需要抽真空和手套箱設(shè)備的嚴格的合成方法相比，他們提供了僅需要氬氣惰性氣體保護的簡便方法；通過對反應溫度、配體比例、反應時間和不同鹵素原子比例等條件的精確控制以及熱注入技術(shù)，研究人員制備出了一系列高性能的單一和混合鹵素CsPbX3（X=Cl，Br，I）鈣鈦礦量子點。 [#9ij3vxd