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中科院研發(fā)新型相變材料 突破讀寫存儲速度極限

發(fā)布:cyqdesign 2017-11-16 10:07 閱讀:1368
據(jù)《科學(xué)》雜志官網(wǎng)14日報道,中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)信息技術(shù)研究所副研究員饒峰和同事研發(fā)出一種全新的相變材料——鈧銻碲合金,可在不到1納秒內(nèi)實現(xiàn)多晶態(tài)與玻璃態(tài)兩種相態(tài)之間的轉(zhuǎn)換。發(fā)表在本周出版的《科學(xué)》雜志上的這一研究成果,突破了相變存儲器(PCRAM)的存儲速度極限,為實現(xiàn)我國自主通用存儲器技術(shù)奠定了基礎(chǔ)。 L(PJ9wjkD  
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經(jīng)過幾十年的發(fā)展,計算機(jī)已經(jīng)變得更小、更快、更便宜,存儲性能繼續(xù)提升所面臨的挑戰(zhàn)也更加嚴(yán)峻。 Ufv{6"sH  
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靜態(tài)/動態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM緩存/DRAM內(nèi)存)是與計算機(jī)中央處理器直接交換數(shù)據(jù)的臨時存儲媒介,可按需隨意取出或存入數(shù)據(jù)。本世紀(jì)初,科學(xué)家就已經(jīng)提出PCRAM是一種很有前途的新型非易失性存儲器,通過在兩種相態(tài)之間轉(zhuǎn)換,分別代表“0”和“1”進(jìn)行存儲。 !__f