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中科院研發(fā)新型相變材料 突破讀寫存儲速度極限

發(fā)布:cyqdesign 2017-11-16 10:07 閱讀:1369
據(jù)《科學》雜志官網(wǎng)14日報道,中國科學院上海微系統(tǒng)信息技術研究所副研究員饒峰和同事研發(fā)出一種全新的相變材料——鈧銻碲合金,可在不到1納秒內(nèi)實現(xiàn)多晶態(tài)與玻璃態(tài)兩種相態(tài)之間的轉換。發(fā)表在本周出版的《科學》雜志上的這一研究成果,突破了相變存儲器(PCRAM)的存儲速度極限,為實現(xiàn)我國自主通用存儲器技術奠定了基礎。 ".D +# 2Kl  
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經(jīng)過幾十年的發(fā)展,計算機已經(jīng)變得更小、更快、更便宜,存儲性能繼續(xù)提升所面臨的挑戰(zhàn)也更加嚴峻。 X&Lt?e,&  
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靜態(tài)/動態(tài)隨機存儲器(SRAM緩存/DRAM內(nèi)存)是與計算機中央處理器直接交換數(shù)據(jù)的臨時存儲媒介,可按需隨意取出或存入數(shù)據(jù)。本世紀初,科學家就已經(jīng)提出PCRAM是一種很有前途的新型非易失性存儲器,通過在兩種相態(tài)之間轉換,分別代表“0”和“1”進行存儲。 [F EQ@  
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現(xiàn)有最普遍使用的相變材料是鍺銻碲合金(GST),為符合當今計算機的高速隨機存儲的需求,相態(tài)轉換必須在亞10納秒內(nèi)完成,而鍺銻碲合金的相變速度通常需要幾十至幾百納秒,太慢導致無法媲美或替代傳統(tǒng)的DRAM和SRAM存儲器。 `oBzt |f5  
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饒峰和同事通過理論計算,向銻碲合金加入過渡族金屬,篩選出能在更高溫度下通過形成更加穩(wěn)定的鈧碲化學鍵加速晶核形成的鈧銻碲合金。 _AYF'o-Cm  
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他們還合成出這一新型相變材料,并通過實驗證明,新材料能在700皮秒(0.7納秒)內(nèi)快速完成晶體與玻璃態(tài)的相變可逆轉換。研究人員表示,這一速度提升,使得相變存儲器有望替代現(xiàn)有高速存儲器進入實用,未來將進一步助推計算機整體性能的大幅提升,向更快速、更低功耗、更長壽命方向發(fā)展。
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