LED效率下降的微觀根源
自從20世紀(jì)60年代被發(fā)明以來,發(fā)光二極管(或稱LED)已經(jīng)慢慢取代了白熾燈泡,從汽車尾燈到電子指示器等應(yīng)用領(lǐng)域。 避開白熾燈泡的燈絲和熒光燈泡的汞蒸汽,LED反而通過在半導(dǎo)體上施加電壓來產(chǎn)生光。電子與空穴(空穴位于本應(yīng)存在電子的晶體結(jié)構(gòu)中的位置,使它們帶正電荷)結(jié)合,導(dǎo)致發(fā)射光子 – 組成光的粒子。 大多數(shù)LED采用由氮化鎵(GaN)材料制成的半導(dǎo)體。這些氮化鎵發(fā)光二極管是可靠和安全的,但有一個缺點(diǎn),即隨著電壓的升高而迅速變得效率低,這種現(xiàn)象稱為“效率下降”。 “在美國,超過10%的電力用于商業(yè)和住宅領(lǐng)域的照明,轉(zhuǎn)向廣泛使用LED照明將導(dǎo)致巨大的能源節(jié)約,但效率下降是一個主要障礙,”Marco Bernardi說到。他是加州理工學(xué)院工程與應(yīng)用科學(xué)系應(yīng)用物理與材料科學(xué)助理教授,也是最近在Nano Letters雜志上的一篇關(guān)于效率下降的起因的通訊作者(“Ultrafast Hot Carrier Dynamics in GaN and its Impact on the Efficiency Droop”)。 當(dāng)受激電子超過GaN中的納米深度量子阱時,發(fā)生效率下降。這些阱被設(shè)計(jì)成將電子捕獲并與空穴結(jié)合。當(dāng)電子能量太高而不能被阱捕獲時,它們從LED器件泄漏而不發(fā)射任何光。 |