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重慶研究院單晶二維材料GeSe大面積單原子層研究獲新進展
重慶研究院單晶二維材料GeSe大面積單原子層研究獲新進展
發(fā)布:
cyqdesign
2017-12-14 09:38
閱讀:
1423
近日,中國科學(xué)院重慶綠色智能技術(shù)研究院
量子
信息技術(shù)中心團隊在以GeSe為代表的IVAVIB大面積單原子層
材料
制備和能帶
結(jié)構(gòu)
確定,及其器件測試分析研究中取得最新進展。
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