制備中用Te替代部份Se形成CdSe和Cdse xTe1-x薄膜電極，其光譜響應(yīng)范圍與X值大小有關(guān)，當(dāng)調(diào)X=0.63時(shí)能量轉(zhuǎn)換效率達(dá)到12.3％。CdTe具有吸收太陽(yáng)光能的最佳能隙（Eg=1.4eV），其單晶電極在多硫溶液中達(dá)到15.6％的光電轉(zhuǎn)換效率，但用電沉積法制備多晶薄膜電極卻只獲得3.6％的轉(zhuǎn)換效率。比較CdX（X=S、Se、Te）光電極性能不難看出，CdSe和Cdse xTe1-x薄膜的光電性能和穩(wěn)定性能優(yōu)于CdS和CdTe電極，是光電化學(xué)研究中有發(fā)展前途的光電極材料。在CdS和CdTe薄膜的研究中證明了表面修飾也是改善光電性能的有效措施，研究Au、Pt、Ru和Pd等貴金屬修飾CdS和CdTe電極，發(fā)現(xiàn)貴金屬在電極表面的構(gòu)型不同會(huì)產(chǎn)生不同效果，大量的Pt島覆蓋電極表面降低了電極界面光電化學(xué)反應(yīng)的極化，增大了反應(yīng)的交換電流，是電極界面光電催化的最佳構(gòu)型。Pd的修飾形成了金屬致密層，結(jié)果使光電性能下降，產(chǎn)生與Pt修飾相反的效果。用LB膜技術(shù)實(shí)現(xiàn)分子取向、排列結(jié)構(gòu)和濃度可控的條件下研究具有不同氧化還原電位和傳遞電荷性質(zhì)的二茂鐵衍生物修飾CdSe，薄膜電極，將電極表面的微觀分子設(shè)計(jì)與宏觀電極過(guò)程聯(lián)系起來(lái)，為修飾分子的優(yōu)化提供大量信息，使半導(dǎo)體電極表面修飾技術(shù)有很大的提高和發(fā)展。 
對(duì)Ⅲ~Ⅴ族化合物半導(dǎo)體主要研究GaAs和InP單晶電極，它們具有吸收太陽(yáng)光能的最 佳帶隙，可以構(gòu)成高效的光電化學(xué)電池。n-GaAs電極在多硒溶液中有較好的穩(wěn)定性，經(jīng)H2SO4-H2O2混合溶液的反復(fù)刻蝕，再吸附Ru3+離子后有效降低表面復(fù)合，使光電轉(zhuǎn)換效率大大提高，接近于20％。n-InP電極的晶面取向和摻雜濃度對(duì)光電性能有很大影響，摻雜濃度低（1016cm-3）的光電流、光電壓優(yōu)于摻雜濃度高（1018cm-3)的電極；在Fe2+/Fe3+酸性溶液中，性能穩(wěn)定，轉(zhuǎn)換效率達(dá)到18％，p-InP電極在V2＋/V3＋溶液中表面經(jīng)Ag修飾和電鍍Cu改善背面接觸后效率達(dá)到18.8％。
過(guò)渡金屬二硫族層狀化合物具有特殊的電子結(jié)構(gòu)，其過(guò)渡金屬存在分離的d軌道，受 激電子在d-d軌道間躍遷，最大躍遷能為1.1eV-1.8eV，而且不影響化學(xué)鍵，因此其光穩(wěn)定性好。研究天然晶體MoS2電極發(fā)現(xiàn)其光電性能存在各向異性的特征，電極的表面性質(zhì)是決定光電性能的關(guān)鍵因素，通過(guò)離子特性吸附和表面活性劑處理都能明顯提高光電流和光電壓，F(xiàn)eS2電極則可通過(guò)界面配位化學(xué)途徑來(lái)改善其光電性能。 
在三元半導(dǎo)體化合物中研究了CuInS2和CuInSe2及其固溶體的燒結(jié)多晶電極，通過(guò)固 溶體的組成變化來(lái)改變電極的能隙及電子親合勢(shì)，得到CuInS2（1.51eV）、CuInS1.5Se0.5(1.44eV)、CuInSSe（1.24eV）、CuInS0.5Se1.5（1.13eV）和CuInSe2(1.04eV）不同組成的三元化合物多晶電極，在多硫溶液中以CuInS2，電極的光電流、光電壓最大，轉(zhuǎn)換效率達(dá)到1.8％，而且間斷運(yùn)行一年光電性能未見(jiàn)衰減。AgInSe2電極在多碘溶液中的光電化學(xué)性能優(yōu)于CuInSe2。 
氧化物半導(dǎo)體一般具有很好的光穩(wěn)定性能，但存在的問(wèn)題是能量轉(zhuǎn)換效率較低，因[page_break]
此研究的重點(diǎn)是通過(guò)光譜敏化、離子摻雜和光電催化作用來(lái)改善其光電性能。最有代表性的是TiO2，熱氧化制備的多晶薄膜電極在通氮無(wú)氧的K4Fe（CN）6 和HClO4混合溶液中浸漬，由于K4Fe（CN）6與TiO2表面中的Ti4＋形成電荷轉(zhuǎn)移配合物，使TiO2的吸收光譜由400nm擴(kuò)展到600nm以上。另外，還研究了銥和鈷對(duì)TiO2電極光電化學(xué)反應(yīng)的催化作用，銥以大量微孔的透光層形式，鈷則以高度分散的微島固定在TiO2電極表面，都能快速捕獲光生空穴催化界面光反應(yīng)氧化，將鈷微粒載在多孔銥層產(chǎn)生了更大的光電流，說(shuō)明銥和鈷的聯(lián)合作用比單一催化劑有更好效果，ZnO電極只能吸收紫外光用染料羅丹明日B進(jìn)行光譜敏化，明顯增加了可見(jiàn)光波長(zhǎng)區(qū)（400nm－700nm）的光電流。α-Fe2O3薄膜電極用二茂鐵化學(xué)真空沉積（VCD法）在高純Ti層上制備，其工作光譜擴(kuò)展至670nm，比α-Fe2O3能隙相對(duì)應(yīng)的550nm 紅移了120nm，這是歸因于在熱處理過(guò)程中Ti由基底擴(kuò)散而導(dǎo)致的摻雜效應(yīng)。
2有機(jī)光敏染料的光電能量轉(zhuǎn)換 
自然界綠色植物的光合作用是已知最為有效的太陽(yáng)光能轉(zhuǎn)換體系。許多人利用類(lèi)似 葉綠素分子結(jié)構(gòu)的有機(jī)光敏染料設(shè)計(jì)人工模擬光合作用的光能轉(zhuǎn)換體系，進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換的研究。由于有機(jī)光敏染料可以自行設(shè)計(jì)合成，與無(wú)機(jī)半導(dǎo)體材料相比，材料選擇余地大，而且易達(dá)到價(jià)廉的目標(biāo)。如金屬卟啉和金屬酞菁是大Π共軛有機(jī)分子與金屬組成的配合物，具有較高的化學(xué)穩(wěn)定性，能較強(qiáng)吸收可見(jiàn)光譜，作為有機(jī)光伏材料，它是目前廣泛研究的對(duì)象。[/page]