主要用途 ;gnr\C*G  
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觀察樣品表面微觀形貌，進行尺寸及深度進行測量，能譜元素分析。 $ZO<8|bW  
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性能參數 `.g8JC\_m  
O;BPd:<  
a)二次電子分辨率：1.0nm（加速電壓15kV，WD=4mm） sD+G+  
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b)放大倍數 100~800000（照片倍率）； ~S!kn1&O  
R-fjxM*  
            400~2000000（實際顯示倍率） qS|VUy4  
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應用范圍 |GQ$UB  
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1.提供表面及橫截面微細結構觀察及分析； uLljM{I  
M3 u8NRd5|  
2.對多層結構樣品提供精準的膜厚量測及標示； 9m4rNvb  
Dt.Wb&V_w  
3.借由低能量的電子束掃描做被動式影像對比(PVC)對于不良漏電或接觸不良的組件損壞可以精準的定位，提供異常分析之判斷； q?4uH;h:^G  
e~;)-Z  
4.樣品借由層次去除技術(Delayers)，提供SEM做電路自動連拍拼接生成的圖文件，可以與光學顯微鏡生成的圖像做縱向連結，提供電路還原逆向工程之參考