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線路修補(bǔ)是IC設(shè)計(jì)業(yè)不可或缺且越來(lái)越重要的一項(xiàng)服務(wù)。迅速的回貨速度與高的施工良率是解決客戶IC設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)問(wèn)題的關(guān)鍵。 xx)-d,S  
技術(shù)原理 C5@V/vA  
FIB是利用金屬鎵(Ga, 原子序31)作為離子源。利用加在Extractor的負(fù)電場(chǎng)將鎵原子由針尖端牽引出，形成鎵離子束。離子束透過(guò)電透鏡聚焦，經(jīng)過(guò)一連串變化孔徑 (Automatic Variable Aperture, AVA)可決定離子束的大小。最后離子束再經(jīng)過(guò)第二次聚焦至試片表面。因?yàn)殒壴�子位于周期表中間的位置，使用它來(lái)撞擊其它元素原子所造成的移除效果遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于電子。因此，可以利用離子束對(duì)試片表面進(jìn)行特定圖案的加工。一般SB-FIB可以提供材料切割、沉積金屬、蝕刻金屬和選擇性蝕刻氧化層等功能，達(dá)到電路修補(bǔ)的需求。藉由氣體輔助蝕刻系統(tǒng)的幫助，不但可以提高不同材料的蝕刻選擇比與蝕刻速率，并可直接進(jìn)行特定材料的沉積。目前SB-FIB機(jī)臺(tái)的輔助蝕刻氣體可應(yīng)用于提高聚合物、金屬(Al & Cu)與氧化物的蝕刻率。而輔助沉積氣體的種類則有鉑 (Pt)，鎢 (W) 與氧化矽 (TEOS)。 1ibnx2^YB  
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SB-FIB如果結(jié)合場(chǎng)發(fā)射式電子顯微鏡(即Dual Beam FIB, DB-FIB)即可進(jìn)行即時(shí)橫截面觀測(cè)。有業(yè)界最新FIB系統(tǒng)，可以滿足客戶做產(chǎn)品故障分析的多元需求，再搭配具有專業(yè)技術(shù)與經(jīng)驗(yàn)豐富的人員，提供您準(zhǔn)確、精確、效率、有效的產(chǎn)品故障快速分析服務(wù)。 9o0!m Cq  
分析應(yīng)用 KrcgIB8X  
雖然FIB與掃描式電子顯微鏡(SEM)和穿透式電子顯微鏡(TEM)被發(fā)明的時(shí)期相同，在1950年代以前，FIB都被使用在研究開發(fā)相關(guān)的領(lǐng)域，直到1993年才開始被使用在IC商品的失效分析應(yīng)用上，尤其在科技工業(yè)上被大量應(yīng)用在特定缺陷樣品位置的定點(diǎn)切割，用以提供SEM和TEM的樣品制備…等。此外SB-FIB配合氣體輔助蝕刻系統(tǒng)，更廣泛的應(yīng)用在半導(dǎo)體積體電路的線路修補(bǔ)，節(jié)省大量產(chǎn)品偵錯(cuò)和縮短更改光罩的時(shí)間。 347eis'  
有多種FIB機(jī)臺(tái)(SB/DB)可提供選擇，協(xié)助我們的客戶享受更有效率及有效的服務(wù)。為提供最好的服務(wù)品質(zhì)及多樣化的服務(wù)項(xiàng)目，每年持續(xù)投資購(gòu)買許多最新的儀器設(shè)備，服務(wù)內(nèi)容包含IC線路修補(bǔ)的金屬層切割，拉線和探針墊層(Probing Pad)的制作，無(wú)鉛制程中錫須的精密切割，錫鉛焊點(diǎn)可靠性失效橫截面故障分析，完整的銅制程橫截面結(jié)構(gòu)觀察，以及提供許多更先進(jìn)的IC制程技術(shù)的分析服務(wù)。 "e6|"w@8  
定點(diǎn)切割 (Precision Cutting) QTmZ(>z  
穿透式電子顯微鏡試片制作 (TEM Sample Preparation) &(blN.2  
IC線路修補(bǔ)和布局驗(yàn)證 (IC Circuit Editing and Verification) `f9gC3Hk  
制程上異常觀察分析 (Abnormal Process Analysis) 2p!"p`b~  
晶相特性觀察分析 (Ion Channeling Contrast for Grain Morphology Observation) ~AZWds(,N  
GDS自動(dòng)導(dǎo)航線路定位 (Auto-Navigation to Designated Failure Address) @;:>G