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半導(dǎo)體術(shù)語含義（三） 101) Ion Implanter 離子植入機 102) Ion Source 離子源 離子植入機中產(chǎn)生所要植入雜質(zhì)離子的部分，主要由Arc Chamber ,Filament組成，雜質(zhì)氣 體或固體通入Arc Chamber，由Filament產(chǎn)生的電子進行解離而產(chǎn)生離子。 103) IPA 異丙醇 Isopropyl Alcohol的簡稱，在半導(dǎo)體制造中，用來作為清洗溶劑，常用來擦拭機臺操 作面板等，也作為SOG等化學(xué)液體的溶劑。 104) Isotropic Etching等向性蝕刻 在蝕刻反應(yīng)中，除了縱向反應(yīng)發(fā)生外﹒橫向反應(yīng)亦同時發(fā)生(見左圖)，此種蝕刻即稱之為等向性蝕刻，一般化學(xué)濕蝕刻多發(fā)生此種現(xiàn)象。 干式蝕刻，其蝕刻后的橫截面具有異向性蝕刻特性 (Anisotropic)，即可得到較陡的圖形 105) Latch up:閉鎖效應(yīng) CMOS組件里的底材、阱及PMOS的漏極與NMOS的源極，在某些條件下，會形成一個如圖（1）所示的寄生的pnpn二極管。這種pnpn二極管的電流（I）對 電壓（V）的操作曲線則如圖。其中圖中的IH，為使pnpn二極管處于運作（Acting）狀態(tài)時所需的最低電流稱之為“引發(fā)電流（triggering current）”。當I≥IH發(fā)生之后，CMOS電路的功能將暫時或永久性的喪失，我們稱這個現(xiàn)象為“閉鎖（Latch up）”。即，如果CMOS組件的設(shè)計或制作不當，這種寄生于CMOS組件里的“pnpn二極管”，有可能處于運作的狀態(tài)，而影響到CMOS的正常運作。所以在使用CMOS的設(shè)計時，務(wù)必注意使這個pnpn二極管隨時處于“閉”的狀態(tài)，即I<IH，以防止“閉鎖現(xiàn)象”的發(fā)生。 防止閉鎖的方法很多，最簡單的方式就是把CMOS的n阱（內(nèi)有PMOS）與NMOS彼此間的遠離而不發(fā)生。不過這將使半導(dǎo)體組件在芯片上的集成度下降，所以并不是很好的方法最普遍防閉鎖的方法是“外延硅底材（EPI substrate）” 這種防制方法的原理，是在原本高摻雜的底材上，加上一層輕微摻雜的單晶硅層，已做為CMOS制程的的底材。因此CMOS是直接建筑在低摻雜的EPI層上（不是以往的底材上）的。而高摻雜底材作為接地的板面（ground plane）。假如這層EPI夠�。ǖ融迳疃群瘢瑒t圖中的直立的pnp雙載子寄生電晶體的電流將不易橫向流向寄生的npn電晶體，而流向高摻雜的硅底材（摻雜濃度高導(dǎo)電性好）。因此硅底材接地，寄生pnp和npn的閉鎖現(xiàn)象就可以被抑制了。外延單晶硅層的厚度宜薄，這樣發(fā)生閉鎖的引發(fā)電流將越高，閉鎖將不容易發(fā)生，但考慮到EPI層太薄，底材雜質(zhì)將會進入EPI層，造成濃度的改變，故需嚴格控制以避免EPI太薄或太厚所帶來的問題。 106) Layout布局 Layout：此名詞用在IC設(shè)計時，是指將設(shè)計者根據(jù)客戶需求所設(shè)計的線路，經(jīng)由CAD(計算機輔助設(shè)計)，轉(zhuǎn)換成實際制作IC時，所需要的光罩布局，以便去制作光罩。因為此一布局工作﹒關(guān)系到光罩作出后是和原設(shè)計者的要求符合，因此必須根據(jù)一定的規(guī)則，好比一場游戲一樣，必須循一定的規(guī)則，才能順利完成﹒而布局完成后的圖形便是IC工廠制作時所看到的光罩圖形。 107) Lightly Doped Drain 輕摻雜集極 簡稱LDD，可以防止熱電子效應(yīng)(Hot Electron/Carrier Effect)；方法是采用離子植入法，在 原來的MOS的源極和汲極接近通道的地方，再增加一組摻雜程度較原來n型的源極與汲極為低的n型區(qū)。缺點是制程復(fù)雜且輕摻雜使S/D串聯(lián)電阻增大，導(dǎo)致組件操作速度降低。 108) Local Oxidation 區(qū)域氧化法 Local Oxidation of Silicon 即區(qū)域氧化，簡稱LOCOS,是Field Oxide一種制作方法,即在有SiN層作為幕罩的情況下讓芯片進入爐管進行Field Oxide的制作。 109) Load Lock傳送室
系統(tǒng)起初門均關(guān)閉 ，其傳送芯片的動作為：傳送芯片→打開Load Lock A→將芯片放入，關(guān)閉，抽真空→打開ˉ，將芯片放入反應(yīng)室，抽其空→開始蝕刻或濺鍍→蝕刻OK→打開，將芯片移至→,關(guān)上，抽真空，再破真空→打開Load Lock B→送出芯片→關(guān)上′真空→系統(tǒng)恢復(fù)起初狀。 110) Lot Number批號 批號乃為在線所有材料的"身份證"，key in批號如同申報流動戶口，經(jīng)由SMS 系統(tǒng)藉以管制追蹤每批材料的所在站別，并得以查出每批材料的詳細相關(guān)數(shù)據(jù)，故為生產(chǎn)過程中的重要步驟。批號為7碼，其編排方法如下 :
以此類推 *批號的產(chǎn)生乃于最初投片時由SMS系統(tǒng)自動產(chǎn)生。 111) LPCVD 低壓化學(xué)氣象沉積法 LPCVD 的全名是Low Pressure Chemical Vapor Deposition, 即低壓化學(xué)氣相沉積。 這是一種沉積方法。在IC制程中，主要在生成氮化硅，復(fù)晶二氧化硅及非晶硅等不同材料。 112) Mask 光罩；罩幕 在微影的階段中，必要的線路或MOS電晶體的部分結(jié)構(gòu)，將被印制在一片玻璃片上，這片印有集成電路圖形的玻璃片稱為光罩（Mask）；在離子植入或LOCOS氧化時，上面會有一層氧化層或SiN層作為幕罩（Mask），以降低離子植入時的通道效應(yīng)或氧化時的阻擋。 113) MFC（Mass Flow Controller）質(zhì)流控制器 簡稱MFC,是直接測量氣體流量的一種裝置，常用在流動氣體的控制上。主要是由一個質(zhì)流感應(yīng)器，一個旁流管及一個可調(diào)整閥構(gòu)成。 114) micro, Micrometer, Micron微，微米 Micro 為10-6, 1 Micro＝10-6 1 Micrometer＝10-6 m＝1 Micron＝1μm 通常我們說1μ即為10-6 m。 又因為1Å＝10-8 cm＝10-8 m （原子大小） 故1μ＝10,000 Å 約為一萬個原子堆積而成的厚度或長度。 115) Mobile Ion Charge 移動性離子電荷 一般出現(xiàn)在熱氧化層中，主要來自鈉及鉀等賤金屬雜質(zhì)，影響到氧化層的電性；這些雜質(zhì)可以借由在氧化制程中加入適量的HCl來防范。 116) MOS金屬半導(dǎo)體 構(gòu)成IC的晶體管結(jié)缸可分為兩型一雙載子型(bipolar)和MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)。雙載子型IC的運算速度較快但電力消耗較大，制造工程也復(fù)雜，并不是VLSI的主流。 而MOS型是由電場效應(yīng)晶體管(FET)集積化而成。先在硅上形成絕緣氧化膜之后，再由它上面的外加電極(金屬或復(fù)晶硅)加入電場來控制某動作，制程上比較簡單，也較不耗電，最早成為實用化的是P-MOS，但其動作速度較慢，不久，更高速的N-MOS也被采用。一旦進入VLSI的領(lǐng)域之后﹒NMOS的功率消耗還是太大了，于是由P-MOS及N-MOS組合而成速度更高、電力消耗更少的互補式金氧半導(dǎo)體(CMOS，Complementary MOS) 遂成為主流。 117) N2, Nitrogen氮氣 空氣中約4/5是氮氣，氮氣是一安定的惰性氣體，由于取得不難且安定，故Fab內(nèi)常用以當作Purge管路，除去臟污、保護氣氛、傳送氣體(Carrier Gas)、及稀釋(Dilute)用途，另外氮氣在零下 196℃(77°F)以下即以液態(tài)存在，故常被用做真空冷卻源。 118) N Well N井 在半導(dǎo)體行業(yè)里，一般在P-Sub上植入P以形成N-well,以便為后期形成PMOS. 119) Nanospec 一種用于量測膜厚的測量儀器。 120) P/ N-Type Semiconductor P/N型半導(dǎo)體 一般金屬由于阻值相當?shù)?10-2Ω-cm以下)，因此稱之為良導(dǎo)體，而氧化物等阻值高至105Ω-cm以上，稱之非導(dǎo)體或絕緣體。若阻值在10-2~10-5Ω-cm之間，則名為半導(dǎo)體。 IC工業(yè)使用的硅芯片，阻值就是在半導(dǎo)體的范圍，但由于Si(硅)是四價鍵結(jié)(共價鍵)的結(jié)構(gòu)，若摻雜有如砷(As)，磷(P)等五價元素，且占據(jù)硅原子的地位(Substitutional Sites)，則多出一個電子，可用來導(dǎo)電，使導(dǎo)電性增加，稱之為N型半導(dǎo)體。若摻雜硼(B)等三價元素，且仍占據(jù)硅原子的地位，則鍵結(jié)少了一個電子，因此其它電子在足夠的熱激發(fā)下，可以過來填補，如此連續(xù)的電子填補，稱之為定電洞傳導(dǎo)，亦使硅的導(dǎo)電性增加，稱為P型半導(dǎo)體。 因此N型半導(dǎo)體中，其主要常電粒子為帶負電的電子，而在P型半導(dǎo)體中，則為常正電的電洞。在平衡狀況下(室溫)不管N型或P型半導(dǎo)體，其電子均與電洞濃度的乘積值不變。故一方濃度增加，另一方即相對減少。 145) Native Oxide 原始氧化層 當我們把硅芯片暴露在含氧的環(huán)境里時，例如氧氣或水，芯片表面的硅原子便會進行如下（一）（二）所示的氧化反應(yīng)，然后在芯片的表面長出一層二氧化硅層。因為（二）式所示的氧化反應(yīng)涉及到水分子，雖然進行反應(yīng)的水分子不見得是以液態(tài)的形式存在，但我們習(xí)慣以干式氧化（Dry Oxidation）來稱呼（一）式的反應(yīng)，而以濕式氧化（Wet Oxidation）來表示（二）式。因為這兩個反應(yīng)在室溫下便得以進行，所以硅芯片的表面通常都會由一層厚度約在數(shù)個Å到20Å不等的SiO2所覆蓋。這層因為空氣里的氧以及水分子所自然形成的SiO2,則稱為“原始氧化層（Native Oxidation）”。 Si(s) + O2(g) = SiO2(s) (一) Si(s) + 2H2O(g) = SiO2(s) + 2H2(g)） (二) 146) Needle Valve 針閥 針狀閥裝在圓錐形閥座上的有細桿的閥，用于準確地調(diào)整液體或氣體的流動。 147) Nitric Acid 硝酸 一種腐蝕性液態(tài)無機酸HNO3,通常由氨的催化氧化或硫酸與硝酸鹽反應(yīng)制得,主要用作氧化劑(如火箭推進劑),并用于硝化作用以及肥料、炸藥、染料、硝基烷和各種其它有機化合物的制造中。 硝酸是透明，無色或微黃色，發(fā)煙，易吸濕的腐蝕性液體，能腐蝕大部份金屬。其黃色是由于曝光所產(chǎn)生的二氧化氮，為強氧化劑，可與水混合，沸點78℃，比重1.504。對皮膚有腐蝕性，為強氧化劑，與有機物接觸有起火危險。清洗爐管用。 148) NSG Nondoped Silicate Glass無滲入雜質(zhì)硅酸鹽玻璃 NSG為半導(dǎo)體集成電路中的絕緣層材料，通常以化學(xué)氣相沉積的方式生成，具有良好的均勻覆蓋特性以及良好的絕緣性質(zhì)。 主要應(yīng)用于閘極與金屬或金屬與金屬間高低不平的表面產(chǎn)生均勻的覆蓋及良好的絕緣，并且有助于后續(xù)平坦化制程薄膜的生成。 149) Nozzle 噴嘴 管嘴，噴嘴管子等對象的尾端的帶有開口的突起部分，用于控制和引導(dǎo)水流。 150) OCAP OCAP 是 Out of Control Action Plan 的縮寫，中文稱為制程異常處理程序 它是在處理制程異常時的一套標準步驟，可供處理人員遵循，依序?qū)栴}厘清，并加以解決。 更詳細的說，OCAP乃是由一連串的問題及行動指示所組成，以流程圖的方式來指示我們，當制程違反管制規(guī)則時，應(yīng)采取的步驟及措施。 OCAP 是由制造部、制程、設(shè)備一同來制定及檢討。 OCAP 須不斷的修訂，以符合生產(chǎn)線實際的需要。 |
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