151) Ohmic Contact 歐姆式接觸

歐姆接觸是指金屬與半導(dǎo)體的接觸，而其接觸面的電阻值遠(yuǎn)小于半導(dǎo)體本身的電阻，使得組件操作時(shí)，大部分的電壓降在于活動(dòng)區(qū)(Active region)而不在接觸面。

　      欲形成好的歐姆接觸，有二個(gè)先決條件：

（1）金屬與半導(dǎo)體間有低的界面能障(Barrier Height)

（2）半導(dǎo)體有高濃度的雜質(zhì)摻入(N ≧1012 cm-3)

前者可使界面電流中熱激發(fā)部分(Thermionic Emission)增加;后者則使界面空乏區(qū)變窄，電子有更多的機(jī)會(huì)直接穿透(Tunneling)，而同使Rc阻值降低。

        若半導(dǎo)體不是硅晶，而是其它能量間隙(Energy Cap)較大的半導(dǎo)體(如GaAs)，則較難形成歐姆接觸 (無適當(dāng)?shù)慕饘倏捎?，必須于半導(dǎo)體表面摻雜高濃度雜質(zhì)，形成Metal-n＋-n or Metal-p+-p等結(jié)構(gòu)。

152) OI(Operation Instruction)操作指南

它是我們?cè)诓僮鳈C(jī)臺(tái),維護(hù)機(jī)臺(tái)等操作情況時(shí)的操作手冊(cè),它規(guī)定了操作的先后順序。按照操作指南才會(huì)保證安全，保證工作的順利進(jìn)行。

153) Oil pump

     1.  Oil pump結(jié)構(gòu):

            Oil temperature controller有很長(zhǎng)的lIFetime

            Oil pump中oil的品質(zhì)對(duì)pump有很大影響，油品好，pump抽氣能力強(qiáng)，使用時(shí)間長(zhǎng)

2.  Oil的作用：潤滑、降溫和密封。

154) ONO（Oxide Nitride Oxide氧化層-氮化層-氧化層）

　      半導(dǎo)體組件，常以O(shè)NO三層結(jié)構(gòu)做為介電質(zhì) (類似電容器)，以儲(chǔ)存電荷，使得數(shù)據(jù)得以在此處存取。

　       在此氧化層-氮化層-氧化層三層結(jié)構(gòu)，其中氧化層與基晶層的接合較氮化層好，而氮化層居中，則可阻擋缺陷 (如pinhole)的延展，故此三層結(jié)構(gòu)可互補(bǔ)所缺。

155) Oxygen氧氣

        無色，無氣味，無味道雙原子氣體。在-183℃液化成淺藍(lán)色的液體，在-218℃固化。在海平面上，空氣中約占20%體積的氧，溶于水和乙醇，不可燃，可以助燃。

         在電漿光阻去除中，O2主要用來去除光阻用。

         在電漿干蝕刻中，O2,混入CF4氣體中，可增加CF4氣體的蝕刻速度。

         目前O2氣主要用途在于電漿光阻去除。利用O2在電漿中產(chǎn)生氧的自由基(RADICAL)，與光阻中的有機(jī)物反應(yīng)產(chǎn)生CO2和H2O氣體蒸發(fā)，達(dá)到去除光阻的效果。

156) Outgassing 出氣

主要是指剩余的溶劑或水氣，來源于未經(jīng)完全固化的光阻、SOG或其他物質(zhì)。下圖是離子植入時(shí)因離子轟擊硅片表面的光阻而發(fā)生的出氣現(xiàn)象。

157) Oxidation 氧化

1）物質(zhì)原子失去電子的化學(xué)反應(yīng),也就是物質(zhì)與氧化合的過程。

2）脫氫,尤指在氧或其它氧化劑作用時(shí)脫氫

3）通過增加電負(fù)性的比例來改變一種化合物

半導(dǎo)體中熱氧化(Oxidation)：在爐管中通入O2(或H2O)與Si反應(yīng)形成二氧化硅(SiO2 )氧化層

熱氧化生長(zhǎng)方式：干氧氧化 、水蒸氣氧化 、濕氧氧化 、氫氧合成氧化

158) Oxidation Furnace 氧化爐

氧化爐是芯片制造的基礎(chǔ)，其主要功用就是對(duì)硅片進(jìn)行氧化制程，生成所需的二氧化硅層。

       擴(kuò)散爐是集成電路生產(chǎn)工藝中用來對(duì)半導(dǎo)體進(jìn)行摻雜，即在高溫條件下將摻雜材料擴(kuò)散入硅片，從而改變和控制半導(dǎo)體內(nèi)雜質(zhì)的類型、濃度和分布，以便建立起不同的電特性區(qū)域。

159) Oxide Trapped Charge 氧化層阻陷電荷

Qot,這類電荷沒有特定的分布位置，主要是因?yàn)樾酒�過程中的其它制程，如離子植入、電漿蝕刻以及物理氣相沉積所引起的電子及電洞，被氧化層內(nèi)的雜質(zhì)或未飽和鍵所撲捉而陷入所造成的。所以帶正電或負(fù)電則不一定。

160) P磷

自然界元素之一。由15個(gè)質(zhì)子及16個(gè)中子所組成。

離子植入的磷離子，是由氣體PH3，經(jīng)燈絲加熱分解得到的P+離子，借著Extraction抽出氣源室經(jīng)加速管加速后﹒布植在芯片上。

是一種N-type離子，用做磷植入，S/D植入

161) P Well  P井

在半導(dǎo)體行業(yè)里，一般在P-Sub上植入B以形成P-well,以便為后期形成NMOS.

162) Pad Oxide 墊氧化層

在制程中主要是起到緩沖層,一般做為SIN的墊底以抵消SIN的應(yīng)力，并且阻止光阻污染Si芯片表面。其制程條件為：

       溫度：950℃~1100℃;     氣體：O2或O2+TDCE(含氯的碳?xì)浠�合�?

       壓力：接近1ATM;         SiO2厚度：100 Å ~500Å

163) Particle Contamination塵粒污染

        “塵粒污染”：由于芯片制造過程甚為漫長(zhǎng)，經(jīng)過的機(jī)器、人為操作處理甚為繁雜，但因機(jī)器、人為均或多或少會(huì)產(chǎn)生一些塵粒Particle，這些塵粒一旦沾附到芯片上，即會(huì)造成污染影響，而傷害到產(chǎn)品品質(zhì)與良率，此即“塵粒污染”。我們?cè)诓僮鬟^程中，應(yīng)時(shí)時(shí)防著各項(xiàng)塵粒污染來源。

164) Passivation 保護(hù)層

為IC最后制程，用以隔絕Device和大氣。可分兩種材料：a﹒大部分產(chǎn)品以PSG當(dāng)護(hù)層(P Content 2-4%)，b.少部分以PECVD沉積的氮化硅為之。

         因與大氣接觸，故著重在Corrosion(鋁腐蝕)、Crack（龜裂）、Pin Hole(針孔)的防冶。

         除了防止組件為大氣中污染的隔絕之外，護(hù)層可當(dāng)作下層Metal層的保護(hù)，避免Metal被刮傷。

165) PECVD電漿CVD

         PECVD英文全名為Plasma Enhancement CVD。CVD 化學(xué)反應(yīng)所需的能量可以是熱能、光能或電漿。以電漿催化的CVD稱做PECVD。PECVD的好處是反應(yīng)速率快、較低的基板溫度及Step Coverage；缺點(diǎn)是產(chǎn)生較大的應(yīng)力，現(xiàn)Feb內(nèi)僅利用PECVD做氮化硅護(hù)層。

166) PH3,Phosphine 氫化磷

一種半導(dǎo)體工業(yè)用氣體。

         經(jīng)燈絲加熱供給能量后，可分解成:　P'，PH＋，PH2＋。(及H+)

       通常 P+最大。可由質(zhì)諳諳場(chǎng)分析出來，做N-type的離子植入用。

167) Phosphoric Acid 磷酸

一種糖漿狀或潮解性結(jié)晶狀三元酸H3PO4,用五氧化二磷水化或通過用硫酸瀝取法分解磷酸鹽(如磷酸鹽礦)得到,主要用于制造肥料和其它磷酸鹽,用于金屬防銹、糖的精制和軟飲料的調(diào)味劑.依溫度，濃度而定。在20℃ 50及75﹪強(qiáng)度為易流動(dòng)液體，85﹪為似糖漿，100%酸為晶體。比重1.834，熔點(diǎn)42.35℃。在213﹪失去Y2H2O，形成焦磷酸。溶于水，乙醇，腐蝕鐵及合金。對(duì)皮膚，眼睛有剌激性，不小心被濺到，可用水沖洗。目前磷酸用于SI3N4的去除，濃度是85﹪，沸點(diǎn)156℃，SI3N4 與SIO2的蝕刻比約為30:1

168) Photo Resist光阻

        "光阻"為有機(jī)材料，系利用光線照射，使有機(jī)物質(zhì)進(jìn)行光化學(xué)反應(yīng)而產(chǎn)生分子結(jié)構(gòu)變化，再使用溶劑使的顯像。

目前一般商用光阻主要含二部份(1)高分子樹脂(2)光活性物質(zhì)，依工作原理不同可分為正，負(fù)型二類:

mR)wX 6  
(2) 負(fù)型:光活性物質(zhì)為Diazlde類，照后生成極不安定的雙電子自由基，能與高分子樹脂鍵結(jié)，而增加分子量，選擇適當(dāng)溶劑便可區(qū)分分子量不同的曝光區(qū)與非曝光區(qū)。

169) PVD(Physical Vapor Deposition)物理氣相沉積

所謂的物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition），通常簡(jiǎn)稱為（PVD）,就是以物理現(xiàn)象的方式，來進(jìn)行薄膜沉積的一種技術(shù)。在半導(dǎo)體制程的發(fā)展上，主要的PVD技術(shù)有蒸鍍（Evaporation）以及濺鍍（Sputter）等兩種。前者是借著對(duì)被蒸鍍物體加熱，利用被蒸鍍物在高溫（接近其熔點(diǎn)）時(shí)所具備的飽和蒸氣壓，來進(jìn)行薄膜的沉積的；而后者，則是利用電漿所產(chǎn)生的離子，借著粒子對(duì)被濺鍍物體電極（Electrode）的轟擊（Bombardment）,使電漿的氣相（Vapor Phase）內(nèi)具有被鍍物的離子（如原子），然后依薄膜的沉積機(jī)構(gòu)，來進(jìn)行沉積。

170)  PID（Proportional , Integral , Derivation）

PID是一種控制方式。是比例，積分，微分的縮寫

171)  Pilot Wafer試作芯片

Pilot Wafer為試作芯片，并非生產(chǎn)芯片 (Prime Wafer)。在操作機(jī)器前，為了確定機(jī)器是否正常所作的試片，或機(jī)器作完維修、保養(yǎng)后所作的測(cè)試用芯片均稱為Pilot Wafer, 由于Pilot Wafer 所作出來的結(jié)果將決定該批的制程條件，故處理Pilot Wafer時(shí)， 所抱持的態(tài)度必須和處理Prime Wafer一樣慎重。

172) Pin Hole 針孔

在光阻制程所謂的針孔，就是在光阻覆蓋時(shí)，光阻薄膜無法完全蓋住芯片表面，而留有細(xì)小如針孔般的缺陷，在蝕刻制程時(shí)，很可能就被蝕刻穿透，而致芯片的報(bào)廢。

         在以往使用負(fù)光阻制程時(shí)，由于負(fù)光阻黏稠性較大，覆蓋較薄，因此，容易出現(xiàn)針孔，故有些層次(如 Contact)，必須覆蓋兩次，才能避免針孔的發(fā)生。目前制程大多使用正光阻，覆蓋較原，已無針孔的問題存在，QC亦不做針孔測(cè)試。

173) Piranha Clean過氧硫酸清洗

過氧硫酸 (Peroxymonosulfuric Acid)又稱為CARO's acid，其主要由硫酸加雙氧水反應(yīng)生成，反應(yīng)式如下:

         H2SO4+H2O2 ＜＝＞H2SO5+H2O

  H2SO5為一強(qiáng)氧化劑，可將有機(jī)物氧化分解為CO2+H2O，因此在 IC 制程中常用來去除殘余的光阻，另外對(duì)金屬污染及微塵污染也有相當(dāng)好的清洗效果。

Piranha原意為食人魚，在這里則是用來形容過氧硫酸與光阻的間的劇烈反應(yīng)。

174) Planarization 平坦化

平坦化就是把Wafer表面起伏的的介電層外觀，加以平坦的一種半導(dǎo)體制程技術(shù)。

為什么要進(jìn)行平坦化？影響黃光制程的精確度和分辨率；影響金屬沉積的均勻性；影響金屬的Etching

       常見平坦化方法：

        BPSG:利用高溫?zé)峄亓鳎‵low和Reflow）原理，用于金屬層前的平坦化。

        SOG：即SPiN-ON GLASS,利用旋轉(zhuǎn)涂布的原理，達(dá)到局部平坦化，常用于0.35um以上制程的金屬層間的平坦化。

        CMP：即Chemical Mechanic Polishing,利用化學(xué)機(jī)械研磨原理，達(dá)到全面平坦化，常用于0.35um以下制程。

175) Plasma 等離子體

又稱電漿，是一種遭受部分離子化的氣體。藉著在兩個(gè)相對(duì)應(yīng)的金屬電極板上施以電壓，假如電極板間的氣體分子濃度在某一特定區(qū)間，電極板表面因離子轟擊所產(chǎn)生的二次電子，在電場(chǎng)的作用下，獲得足夠能量，而與電極板間的氣體分子因撞擊而進(jìn)行解離、離子化、及激發(fā)等反應(yīng)，而產(chǎn)生離子原子原子團(tuán)及更多的電子，以維持電漿內(nèi)的各粒子的濃度平衡。

176) Plasma Etching電漿蝕刻

       在干蝕刻(Dry Etch)技術(shù)中 ，一般多采用電漿蝕刻(Plasma Etching)與活性離子蝕刻(Reactive Ion Etching)，通常電漿蝕刻使用較高的壓力(大于200mT)及較小的RF功率，當(dāng)芯片浸在電漿之中，曝露在電漿的表層原子or分子與電漿中的活性原子接觸并發(fā)生反應(yīng)而形成氣態(tài)生成物而離開晶面造成蝕刻，此類蝕刻即稱之為電漿蝕刻。所謂電漿(Plasma)即為氣體分子在一電場(chǎng)中被游離成離子(正、負(fù)電荷)、電子、及中性基(Radical)等，在純化學(xué)反應(yīng)中，吾人取中性基為蝕刻因子，在R.I.E時(shí)，取活性離子作為蝕刻因子。

177) PM (Preventive Maintenance)定期保養(yǎng)

設(shè)備正常運(yùn)轉(zhuǎn)期間停機(jī)，實(shí)施定期 (每天、每周、每月或每季等)的設(shè)備保養(yǎng)。例如:檢修，上油，潤滑，更換消耗材等。有良好的PM才能發(fā)揮高的設(shè)備運(yùn)轉(zhuǎn)效率，發(fā)揮設(shè)備最高的使用率。

178) POCl3

一種用做N+擴(kuò)散用的化合物。

通常以N2為"載氣"(Carrier Gas)，帶著POCl3和O2 (氧氣)一起進(jìn)入高溫爐管，然后產(chǎn)主下列反應(yīng)：

               4POCl3 + 3O2 → 2P2O5 + 6Cl2

               5P2O5 + 5Si  → 4P + 5SiO2

在反應(yīng)過程中，磷沉淀于硅表面，同時(shí)硅表面亦形成氧化層。

179) Poly-Crystalline 多晶體

如果某純物質(zhì)的原子(或分子)的堆積方式不只一種，而是由許多種體積較小，且堆積方面均不同的經(jīng)晶粒 (Grains)所組成時(shí)，這種純物質(zhì)結(jié)構(gòu)，我們稱之為“多晶體”。Polysilicon便是一種多晶體。

180) Poly Dope

純的Polysilicon電阻較大,但加入P等Dopant時(shí)，Rs可獲得較低的值,以符合器件的要求。

181) Polysilicon 多晶硅

硅(Silicon)是IC制造的主要原料之一。通常其結(jié)構(gòu)都是單晶(單一方向的晶體)。而

Polysilicon也是硅，只是其結(jié)構(gòu)是復(fù)晶結(jié)構(gòu)。即其結(jié)晶的結(jié)構(gòu)是多方向的，而非單一方向。Polysilicon通常用低壓化學(xué)氣相沉積的方法沉積而得。其主要用途在作MOS的閘極及器件單元的連接。

182) Pressure壓力

       氣體分子撞擊反應(yīng)室的器壁所產(chǎn)生的力量。氣體分子愈少、壓力愈低。反之氣體分子愈多、壓力愈高。

        如壓力的大氣壓力(1 atm)時(shí)，表示真空，其壓力單位即為真空度。  

        1大氣壓=latm=760mmHg水銀柱壓力

        1 Torr (托) = 1/760 atm=lnnHg

        如壓力＞大氣壓力時(shí)，即用單位面積所受的重量表示。

        如Kg/cm2，或psi(lb（磅）/in2（吋））。

        一般電漿蝕刻機(jī)的壓力為5Omillitorr ~ 0.5rorr

       一般使用的氣瓶的壓力約為5OOpsi~ 2OO0psi。

183) PSG 磷硅玻璃（phosphor-silicate-glass）

是一種含磷的二氧化硅 ，我們現(xiàn)有制程中P的含量為4.25％ 。

       PSG與PESiN一起構(gòu)成Passivation 。

       作用：防止PESiN有Pin hold使水汽滲透進(jìn)來。亦可以抵消PESiN的應(yīng)力。加磷的主要目的

       是吸附雜質(zhì)。

184) PESIN

用PECVD的方式沉積的SiN ，其與PSG一起構(gòu)成Passivation。

       作用：防止機(jī)械劃傷；防止水汽(Moisture )，堿金屬離子滲入。

185) Qbd擊穿電荷(C/cm2)

表征二氧化硅電特性的參數(shù)，用加電流量電壓法測(cè)得。加1mA至 n sec,如果第n sec電壓<20V,則

     Qbd=1mA*(n-1) coul/0.01cm2。

     Qbd>1.0coul/cm2且D0<80時(shí)才pass。

186) Recipe

Recipe在字典的解釋是醫(yī)生的處方，廚師的食譜。在IC制程中，則指制程的程序。IC

制造中各個(gè)步驟都有不同的要求:如溫度要多少?某氣體流量多少?反應(yīng)室的壓力多少?等等甚多的參數(shù)都是Recipe內(nèi)容的一部份。

187) Reclaim 再生硅片

半導(dǎo)體晶圓廠內(nèi)設(shè)備進(jìn)行生產(chǎn)前，均需以測(cè)試硅片來量測(cè)沉積膜層厚度、電阻率、B/P含量、Particle等制程參數(shù)，量測(cè)后的測(cè)試硅片運(yùn)用一定次數(shù)后通常會(huì)報(bào)廢。但因近幾年來歐、美、日等硅片材料制造廠產(chǎn)能吃緊，加上八寸晶圓廠陸續(xù)落成，六寸或八寸測(cè)試硅片的單價(jià)頗高，晶圓廠為節(jié)省成本，通常會(huì)送至日本或美國再加工，將測(cè)試硅片上的粒子與晶層經(jīng)過蝕刻與磨平程序，可重新回收賣給晶圓廠使用，稱為Reclaim Wafer或Recycle Wafer(意為「再生」硅片).

188) Reflow再回流

       回流是IC制程中一種特殊技術(shù)。是在沉積BPSG或 BSG。之后，將芯片推入高溫爐（850-950

℃）一段時(shí)間（20-40min），藉該BPSG高溫下的"流動(dòng)"，使芯片表面變得較平坦。此即回流平坦化技術(shù)。當(dāng)BPSG沉積與熱流動(dòng)完成，且經(jīng)過接觸微影與蝕刻等步驟后，為使將來的金屬濺鍍能順利在剛剛定義的接觸窗里沉積，通常將硅片送入剛剛的爐管里，以相同或類似的操作參數(shù)，進(jìn)行BPSG的第二度回流，稱為再回流。

189) Reliability可靠性

       可靠性實(shí)在有很多方法來描述，但我們只針對(duì)兩個(gè)觀點(diǎn)來討論。一般來說，可靠性就是客戶

對(duì)我們的產(chǎn)品，在他們使用一段很長(zhǎng)的時(shí)間之后，仍能符合他們的信賴與期待。更精確的描述就是我們的產(chǎn)品在我們所要求的特殊環(huán)境的測(cè)試，經(jīng)過一段很長(zhǎng)時(shí)間之后，仍能確保IC功能，函數(shù)的正常操作稱之為可靠性合格產(chǎn)品。

測(cè)試的項(xiàng)目很多，但總離不開，電壓、溫度機(jī)械應(yīng)力，濕度及壓力等。

190) Resistivity阻值

物理學(xué)上定義阻值(Ω，即奧姆)為 R＝ΔV/I

在物體兩截面上通以定電流V，量得電壓降ΔV，則ΔV /I即為這物體的阻值。

        但在半導(dǎo)體工業(yè)上，這樣定義阻值并無太大實(shí)用價(jià)值。我們只關(guān)心芯片表面薄薄一層"動(dòng)作區(qū)" (Active Area)的阻值。

于是另外定義一"薄層阻值" (Sheet Resistance)，以四點(diǎn)針測(cè)的方法量取ΔV及I(見四點(diǎn)針測(cè)一文)。 Rs = ΔV/I   (ΔV /口) 定義為芯片的阻值。      

191) Rework/Scrap/Waive修改/報(bào)廢/簽過

        修改: 分ADI修改，AEI修改

              ADI修改：將光阻去除，重新上新光阻，以定義新的或精確的圖形。              

              AEI修改：將己沉積或氧化的厚厚膜或薄層去除，重新沉積或氧化。            

         報(bào)廢:芯片受污染或流程不合規(guī)范上的規(guī)定，造成芯片有無良率的可能，則停止流程不繼續(xù)生產(chǎn)。謂之。  

         簽過:當(dāng)芯片流程至某步驟時(shí)，發(fā)現(xiàn)圖形或規(guī)格不合于規(guī)范內(nèi)的規(guī)定，但其影響不致使芯片達(dá)報(bào)廢的程度，可由工程師簽署，繼續(xù)流程。

192) RTP 快速熱制程( Rapid Thermal Processing )

RTP與爐管最大的差別是: RTP一次只處理一片芯片，但RTP的升溫速度夠快且均勻。

       有100℃/秒的升溫速度。

193) Sacrificial Oxide  犧牲氧化層

作用: 1.去除在 field oxidation過程中，由于Kooi Effect而造成的缺陷.

            2.避免光阻和Si表面直接接觸, 造成污染.

            3.并對(duì)下一步驟 的離子植入有一定的散射作用，即降低通道效應(yīng)的影響.

194) Salicide      

自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物 (Self-Aligned Silicide) 的制程簡(jiǎn)稱為Salicide

195) Scanner  掃描裝置

離子植入機(jī)臺(tái)中幫助離子束對(duì)整片芯片進(jìn)行植入的裝置，稱為掃描裝置。

196) SEM（Scanning Electron Microscope）掃描式電子顯微鏡

簡(jiǎn)稱SEM

SEM能力介于光學(xué)顯微鏡與穿透式電子顯微鏡之間，可用于檢驗(yàn)固體試片，由于視野縱深長(zhǎng)，可顯示清晰三度空間像。

2`-Bs  
197) Scrubber刷洗機(jī)

1. 在沉積或蝕刻制程之后常會(huì)有些微塵落在芯片表面，此種P/D可刷洗去除，避免對(duì)良率的傷害。

2. 依照膜的性質(zhì)，及機(jī)臺(tái)的特性不同，通常我們有下列5種不同刷洗方式:

-去離子水沖洗

-毛刷刷洗

-高壓水刷洗

-毛刷加高壓水刷洗

-芯片雙面刷洗