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半導(dǎo)體術(shù)語含義（六） 237) Throttle Valve 節(jié)流閥 節(jié)流閥主要是由一個旋轉(zhuǎn)式閥門及一個用來調(diào)整閥門位置的伺服馬達(dá)所構(gòu)成，因此只要輸入適合的電流，伺服馬達(dá)便會自動調(diào)節(jié)閥門的位置來改變節(jié)流閥的傳導(dǎo)度，以控制真空系統(tǒng)的整體有效抽氣速率。 238) Throughput 產(chǎn)能 生產(chǎn)能力，如日產(chǎn)能、月產(chǎn)能、年產(chǎn)能。Through Put為單位工時的產(chǎn)出量，例如某機(jī)器每小時生產(chǎn)100片，則稱其Through put = l00片/小時。如果每天運(yùn)作21小時，則每天的Through put為2100片/天。 IC工業(yè)系許多昂貴且精密的設(shè)備投資，故必須充分利用，維持生產(chǎn)的順暢，發(fā)揮其最大的 效能。故高的Through put為我們評估機(jī)器設(shè)備的一項(xiàng)很重要的因素之一。除了設(shè)備上發(fā)揮 其最大產(chǎn)能外，必須要配合人為的力量，如流程安排、故障排除、‥‥等，亦即必須"人機(jī) 一體"才能發(fā)揮生產(chǎn)的整體效益，達(dá)到最高的生產(chǎn)力(Productivity)。 239) Trichloroethane 三氯乙烷 240) Trouble Shooting問題解答 在生產(chǎn)過程，因?yàn)?M，即設(shè)備、材料、人為、方法等，造成的一切問題而阻礙生產(chǎn)。例如，機(jī)器Down機(jī)、制程異常…等。工程人員解決以上所發(fā)生的問題，使這些"故障"消弭于無形謂之Trouble Shooting。 241) Tungsten 鎢 一種金屬。用以連接上下兩層金屬線的中間層，稱為“鎢插拔”。因?yàn)殒u的熔點(diǎn)高，熱膨脹系數(shù)又與硅相當(dāng)，再加上以CVD法所沉積的鎢的內(nèi)應(yīng)力并不高，且具備極佳的階梯覆蓋能力，以CVD法來沉積做為插拔用途的金屬鎢，以成為各VLSI量產(chǎn)廠商的標(biāo)準(zhǔn)制程之一。 242) Ultra High Vacuum 超高真空 在超高真空條件下，單分子層容易形成，并能持續(xù)較長時間，這就可以在一個表面尚未被氣體污染前，利用這段充分長的時間來研究其表面特性，如摩擦、黏附和發(fā)射等；另外，外層空間的能量傳輸和超高真空的能量傳輸相似，故超高真空可做空間模擬。 真空度大于10-7Torr ，10-7~10-10 Torr的狀態(tài)。
243) Ultrasonic Cleaning 超音波清洗 通過超音波原理進(jìn)行的清洗。超音波振蕩會產(chǎn)生氣泡和紊流，氣泡通過轟擊爆破將Paticle帶走，紊流直接將Paticle沖走。 244) Uniformity 均勻性 （最大值－最小值）/（2*平均值），有兩種均勻性：一種是一片Wafer的均勻性（within wafer），測得五個點(diǎn)，然后得到最大值最小值和平均值，再安公式計(jì)算。另一種是Wafe之間的均勻性(wafer to wafer)，同樣測得最大值和最小值和平均值再計(jì)算均勻性。 245) USG (Undoped SiO2) 即沒有攙雜的二氧化硅，LPCVD制得，一般沉積在BPSG下面，以防止BPSG中的P元素滲透到Si表面，影響組件的特性。 246) Up Time 使用率 表示機(jī)臺可以run貨的時間，包含run貨的時間及機(jī)臺lost時間，即除down機(jī)時間 247) Vacuum真空 真空系針對大氣而言，一特定空間內(nèi)的部份氣體被排出，其壓力小于1大氣壓。 表示真空的單位相當(dāng)多，在大氣的情況下，通稱為l大氣壓，也可表示為760torr或760mmHg或14.7psi。 真空技術(shù)中，將真空依壓力大小分為4個區(qū)域： 1.粗略真空(Rough Vacuum) : 760~1 torr 2.中度真空(Medium Vacuum): 1~10-3 torr 3.高真空 (High Vacuum) : l0-3~10-7torr 4.超高真空(Ultra-High Vacuum): 10-7torr以下 在不同真空，氣體流動的型式與熱導(dǎo)性等均有所差異，簡略而言，在粗略真空，氣體的流動稱為黏滯流(Viscous Flow)。其氣體分子間碰撞頻繁，且運(yùn)動具有方向性;在高真空或超高真空范圍，氣體流動稱為分子流(Molecular Flow)，其氣體分子間碰撞較少，且少于氣體與管壁碰撞的次數(shù)，氣體分子運(yùn)動為隨意方向，不受抽氣方向影響。在熱導(dǎo)性方面，中度真空的壓力范圍其與壓力成正比關(guān)系﹒粗略真空與高真空區(qū)域，則無此關(guān)系。 248) Vacuum Pump真空泵 凡能將特定空間內(nèi)的氣體去除，以減低氣體分子數(shù)目，造成某種程度的真空狀態(tài)的機(jī)件，統(tǒng)稱為真空邦浦。 目前生產(chǎn)機(jī)臺所使用的真空泵，可分為抽氣式的有：旋片泵(ROTARY PUMP)，洛茲泵(ROOTS PUMP)，活塞泵(PISTON PUMP)，擴(kuò)散泵(DIFFUSION PUMP)。及儲氣式的有：冷凍泵(CRYO PUMP)，離子泵 (ION PUMP)。 249) Viscosity黏度 "黏度"一詞專用于液體，意指當(dāng)液體接受切應(yīng)力時(指作用力方向與液體表面不垂直)，液體就會產(chǎn)生形變，所以便定義"黏度"來表示示體產(chǎn)生形變程度的大小。 黏度是可以調(diào)整的，因?yàn)橐后w受切應(yīng)力而形變是巨觀形為的表現(xiàn)，所以在液體完全相溶前提下，可以加入不同黏度的溶劑來調(diào)整黏度。 250) Vacuum System 真空系統(tǒng) 壓力小于1標(biāo)準(zhǔn)大氣壓的系統(tǒng)。真空系統(tǒng)由以下部分組成：Pump、Valve、Pipe、Gauge、Chamber 251) Valve 閥 控制氣流開關(guān)和氣體流量的組件。Valve主要有以下種類：氣動閥（常開或常閉）、手動 閥、電磁閥 252) Vapor Phase 氣相 相是一種單一均勻的成分的狀態(tài)。氣相是一種單一均勻的成分的氣體狀態(tài) 253) Vapor Phase Deposition 氣相沉積 一種薄膜沉積的方法，在氣態(tài)下氣體反應(yīng)產(chǎn)物或蒸發(fā)物淀積在基體表面的薄膜技術(shù)。氣相沉積可分為物理氣相沉積和化學(xué)氣相沉積。物理氣相沉積又分為蒸鍍和濺渡�；瘜W(xué)氣相沉積又分為APCVD、LPCVD和PECVD。 254) Very Large Scale Integration 超大規(guī)模集成電路 255) Via 金屬與金屬之間的通道 256) VLF Vertical Laminar Flow垂直層流 在流體的流動狀態(tài)中，可分為層流 (Laminar Flow)及紊流(Turbulent Flow) 兩種。界定值。 一般流體流速較快者其流線 (streamiline)分子易受干擾，且雷諾數(shù)大易形成紊流，(雷諾數(shù)， 慣性力/粘滯力)。
離。若為紊流，則微塵將滯流不去。因此在無塵室內(nèi)機(jī)臺的布置及人員的動作都以 257) Void 孔洞 是一種材料缺陷，會影響材料的致密性，從而影響強(qiáng)度。 258) Wafer 硅片 硅晶圓材料（Wafer）是半導(dǎo)體晶圓廠（Fab）內(nèi)用來生產(chǎn)硅芯片的材料，依面積大小而有三寸、四寸、五寸、六寸、八寸、十二寸（直徑）等規(guī)格之分。一根八寸硅晶棒重量約一百二十公斤，切割成一片片的八寸晶圓后，送至八寸晶圓廠內(nèi)制造芯片電路（Die），這些芯片電路再經(jīng)封裝測試等程序，便成為市面上一顆顆的ＩＣ。但因硅晶棒所切割出的晶圓片中，品質(zhì)較好者，稱為生產(chǎn)晶圓（Prime Wafer），更高級者稱為磊晶圓（Epi-Wafer），上述晶圓幾乎都集中在硅晶圓棒的「中間」一段，頭、尾兩端所切割出的晶圓，出現(xiàn)瑕疵的比例較高，大多用做非生產(chǎn)用途，稱為測試晶圓（共有Test Wafer或Dummy Wafer或Monitor Wafer等不等名稱）， 一片測試晶圓的售價(jià)大約是生產(chǎn)晶圓的五成至六成。 259) Wafer Transfer System硅片傳送系統(tǒng) 用以實(shí)現(xiàn)硅片傳送的系統(tǒng)。如硅片的進(jìn)出爐系統(tǒng)、硅片在cassette與boat、cassette與chamber間的傳送系統(tǒng)等等。 260) WELL/Tank井區(qū) WELL即井區(qū)。在IC中的組件MOSFET(即金氧半場效晶體管)，常作兩型(N及P)相接的方式，即CMOS技術(shù)。此時為區(qū)分這兩種不同型的MOSFET，就須先擴(kuò)散兩個不同型的區(qū)域于IC中。此種區(qū)域即稱為WELL區(qū)。 261) Wet Oxidation 濕式氧化 一種熱氧化的方式，其反應(yīng)機(jī)理為： 2H2+O2=2H2O 2H2O+Si=SiO2+2H2 溫度：875---1100℃ 特點(diǎn): 生長速率快，但所生成SiO2的質(zhì)量不好適用于Field oxide 262) Work Function 功函數(shù) 功函數(shù)：讓電子脫離金屬原子的臨界能量 如果一個能量為EF的金屬價(jià)電子要脫離金屬原子而成為自由電子，它至少獲得W-EF的能量，這個能量就是我們所說的功函數(shù)。 263) Yield 良率 即合格率，合格的產(chǎn)品占總產(chǎn)品的比例。 |
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