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FinFET晶體管發(fā)明人胡正明獲IEEE榮譽(yù)獎(jiǎng)?wù)?/h1>

發(fā)布:cyqdesign 2020-05-16 10:19 閱讀:2030
日前IEEE電子電器工程協(xié)會(huì)宣布,F(xiàn)inFET晶體管發(fā)明人胡正明(Chenming Hu)獲得了2020年的IEEE 榮譽(yù)獎(jiǎng)?wù),這是IEEE協(xié)會(huì)的最高獎(jiǎng)勵(lì),這一技術(shù)使得摩爾定律延壽了數(shù)十年。自從1965年,Intel聯(lián)合創(chuàng)始人戈登·摩爾提出“摩爾定律”以來,半導(dǎo)體工藝一直按照這個(gè)規(guī)律發(fā)展,2年提升一倍的晶體密度。 4A"nm6  
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不過摩爾定律原本應(yīng)該終結(jié)了,因?yàn)榘凑罩惖陌l(fā)展,傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體工藝制造難度越來越大,特別是在28nm工藝之后。 3| w$gG;Y  
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胡正明教授在這個(gè)問題上貢獻(xiàn)很大,他于1999年發(fā)明了FinFET晶體管,也叫鰭式晶體管或者3D晶體管,就是因?yàn)榫w管的形狀與魚鰭的相似性。 ZDaHR-%Y  
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FinFET晶體管的設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流,縮短晶體管的閘長,F(xiàn)inFET閘長已可小于25nm,未來預(yù)期可以進(jìn)一步縮小至9nm,約是人類頭發(fā)寬度的1萬分之1。 >n/0od9  
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Intel在2012年正式量產(chǎn)了3D晶體管技術(shù),首發(fā)的是22nm工藝,當(dāng)時(shí)臺(tái)積電、三星還停留在28nm工藝上,之后在16/14nm節(jié)點(diǎn)上他們才進(jìn)入了FinFET晶體管時(shí)代。 TU)Pi.Aa  
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從這一點(diǎn)上來說,胡正明教授發(fā)明的FinFET技術(shù)不僅拯救了摩爾定律,Intel、AMD、NVIDIA、蘋果、華為、高通、三星等半導(dǎo)體行業(yè)的公司都受益于胡正明教授的發(fā)明。
關(guān)鍵詞: 晶體管
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