三星最新移動(dòng)內(nèi)存取得突破
三星一向喜歡宣傳自己在內(nèi)存芯片方面的進(jìn)展,但這一次它取得顯著突破。三星正開始量產(chǎn)16g的LPDDR5移動(dòng)內(nèi)存芯片,這是有史以來第一個(gè)使用極端紫外線光刻技術(shù)制造的內(nèi)存,這種技術(shù)使用激光和光敏化學(xué)物質(zhì)來蝕刻硅。這一突破將為該行業(yè)提供更大的增長空間。
這項(xiàng)突破會(huì)轉(zhuǎn)化為一些直接的現(xiàn)實(shí)收益。6.4Gbps的帶寬比以前的12千兆的芯片快16%,而16GB的芯片要薄30%。這可能會(huì)使手機(jī)變得更薄,或?yàn)?span onclick="sendmsg('pw_ajax.php','action=relatetag&tagname=電池',this.id)" style="cursor:pointer;border-bottom: 1px solid #FA891B;" id="rlt_3">電池和相機(jī)等部件提供空間。 三星稱,這款新內(nèi)存非常適合旗艦級(jí)智能手機(jī),包括其競爭對(duì)手的手機(jī)。采用這種內(nèi)存的手機(jī)會(huì)有更多空間來處理同時(shí)運(yùn)行的應(yīng)用程序。不過,三星也希望將LPDDR5引入更多的車載技術(shù)。 關(guān)鍵詞: 內(nèi)存
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