如今，光刻機一直限制著國產(chǎn)芯片的發(fā)展，為了突破限制，國家正在大力推進光子芯片，其原理跟硅芯片不同，運算速度可提升 1000 倍以上，而且不依賴先進的光刻機，比如 EUV 光刻機，因此是各國爭相發(fā)展的新一代信息科技。 Sja"(sJ  
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近日，有消息稱，國內(nèi)首條 " 多材料、跨尺寸 " 的光子芯片生產(chǎn)線已在籌備，預(yù)計將于 2023 年在京建成，可滿足通信、數(shù)據(jù)中心、激光雷達、微波光子、醫(yī)療檢測等領(lǐng)域需求，有望填補我國在光子芯片晶圓代工領(lǐng)域的空白。 #rh0r`  
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據(jù)悉，光子芯片是光電子器件的核心組成部分，與集成電路芯片相比存在多處不同。例如：從性能而言，光子芯片的計算速度較電子芯片快約 1000 倍，且功耗更低。 cFRSd }p=  
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從材料而言，InP、GaAS 等二代化合物半導(dǎo)體是光子芯片更為常用的材料，而集成電路一般采用硅片。從制備而言，光子芯片的制備流程與集成電路芯片存在一定相似性，但側(cè)重點在于外延設(shè)計與制備環(huán)節(jié)，而非光刻環(huán)節(jié)。 2Som0T<2  
建成，可滿足通信、數(shù)據(jù)中心、激光雷達、微波光子、醫(yī)療檢測等領(lǐng)域需求，有望填補我國在光子芯片晶圓代工領(lǐng)域的空白。 o%vIkXw  
據(jù)悉，光子芯片是光電子器件的核心組成部分，與集成電路芯片相比存在多處不同。例如：從性能而言，光子芯片的計算速度較電子芯片快約1000 倍，且功耗更低。 mJwv&E  
從材料而言，InP、GaAS 等二代化合物半導(dǎo)體是光子芯片更為常用的材料，而集成電路一般采用硅片。從制備而言，光子芯片的制備流程與集成電路芯片存在一定相似性，但側(cè)重點在于外延設(shè)計與制備環(huán)節(jié)，而非光刻環(huán)節(jié)。 2AdX)iF@  
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關(guān)于EUV光刻機： 1h#w"4  
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極紫外線光刻機是芯片生產(chǎn)工具，是生產(chǎn)大規(guī)模集成電路的核心設(shè)備，對芯片工藝有著決定性的影響。​制造和維護需要高度的光學(xué)和電子工業(yè)基礎(chǔ)，世界上只有少數(shù)廠家掌握。光刻機的作用是掃描曝光芯片晶圓，刻蝕集成電路。精度越高的光刻機，能生產(chǎn)出納米尺寸更小，功能更強大的芯片。小于5納米的芯片晶圓，只能用EUV光刻機生產(chǎn)。 0lLr[  
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​關(guān)于光子芯片： u+%)JhIp  
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光子芯片采用光波（電磁波）來作為信息傳輸或數(shù)據(jù)運算的載體，一般依托于集成光學(xué)或硅基光電子學(xué)中介質(zhì)光波導(dǎo)來傳輸導(dǎo)模光信號，將光信號和電信號的調(diào)制、傳輸、解調(diào)等集成在同一塊襯底或芯片上。