大家好， YR\(*LJL  
上海膜林科技有限公司的新一代晶控儀 XDM-3K，全中文觸摸屏，操作簡單，含有多項(xiàng)專利技術(shù)，國產(chǎn)鍍膜機(jī)輕松實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化。表現(xiàn)優(yōu)異，詳情請見公司網(wǎng)站：morningtech.cn q/*veL  
歡迎 各位不吝賜教，幫助我們進(jìn)步，也幫助大家共同進(jìn)步。

可用晶振片     6MHz     VgbT/v  
頻率范圍     5MHz~6MHz, GKWsJO5 n  
頻率分辨率     0.005Hz     `Zmdlp@  
頻率穩(wěn)定度     1ppm     g51UIN]o-  
膜厚分辨率     0.002A     -XnIDXM  
測量更新率     10Hz 7fWZ/;p  
材料數(shù)     112 0[YksNNl1  
膜系數(shù)     20, 可自動(dòng)串接 6:QlHuy0nH  
可設(shè)定層數(shù)     112層/每膜系 mmjWLrhlu  
可控制蒸發(fā)源數(shù)     3個(gè), 0~10V, 16bit N@X6Z!EO  
數(shù)字輸入     8路兼容LVTTL，功能自定義 zI^:{]p  
數(shù)字輸出     10路常開繼電器，功能自定義 >f&
L7@  
探頭數(shù)     1，支持六探頭     TT;ls<(Lg  
電源     90V~240V,AC, 20W { **W7\h  
主機(jī)尺寸 XDM-3K     438*88*300 (mm,標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)機(jī)柜寬， 2U高度, 深300mm) d7X7_  
控制方法     PID     kene' aDm  
語言     多國語言(中、英、…)         "tJ[M  
通信接口     RS232    

傳一個(gè)成膜過程實(shí)拍圖 .n.N.e  

描述:成膜過程實(shí)拍

圖片:SiO2-mega9-20131119.JPG

問：什么是控制延遲？ NTCFmdbs 6  
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成膜初始期間，晶控儀在打開蒸發(fā)源擋板后，將其功率保持在最后一個(gè)預(yù)熔階段功率不變，直到一定延遲時(shí)間后才去自動(dòng)控制蒸發(fā)源功率。這個(gè)延遲時(shí)間就是所謂的控制延遲時(shí)間。 qv:DpK  
在蒸發(fā)源擋板剛打開時(shí)，晶振片由于受到熱沖擊而產(chǎn)生異常頻率變化（不是厚度帶來的），此時(shí)晶控儀根據(jù)頻率計(jì)算出來的厚度及速率不是真實(shí)值。所以晶控儀不宜馬上自動(dòng)調(diào)節(jié)功率，而是延遲一定時(shí)間后再去自動(dòng)控制。 z.h;}QRJ,@  
XDM晶控儀在材料參數(shù)中設(shè)置控制延遲時(shí)間。

問：什么是擋板延遲？ #l9sQ-1Q  
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有些晶控系統(tǒng)中，晶控的探頭不受蒸發(fā)源擋板的遮擋。在擋板打開之前，晶控儀就能測量到沉積速率。這些系統(tǒng)中，需要在擋板打開時(shí)就已經(jīng)建立起穩(wěn)定的沉積速率。擋板延遲時(shí)間就是預(yù)熔階段結(jié)束到擋板打開前，建立起沉積速率的最大等待時(shí)間！ 8B!QqLqK  
擋板延遲功能的優(yōu)點(diǎn)是，擋板開時(shí)就已經(jīng)建立穩(wěn)定速率。缺點(diǎn)也很明顯，探頭的位置與產(chǎn)品的位置差異大。 
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目前，XDM不支持擋板延遲功能。若要實(shí)現(xiàn)同樣效果（擋板開始已經(jīng)建立速率），可使用兩臺XDM晶控儀協(xié)作。 Bk5 ELf8pL  
另外，有的晶控儀二者都支持，也有晶控儀只支持擋板延遲。

負(fù)速率及負(fù)厚度問題的來源，對所有成膜工藝都存在，只是值大小不同反應(yīng)不同。 w~=xO_%  
XDM-3K 有額外付費(fèi)的  專利功能，就是解決這個(gè)現(xiàn)象對真實(shí)厚度影響的。 Z@*!0~NH=4  
經(jīng)常有超薄層(甚至10nm以下)的用戶或愿意研究的可考慮，呵呵。

問：為什么在擋板打開一定時(shí)間內(nèi)會(huì)出現(xiàn)負(fù)速率及負(fù)厚度？ \PG_i'