近日，國際標準化組織（ISO）正式發(fā)布了微束分析領(lǐng)域中的一項國際標準：“基于測長掃描電鏡的關(guān)鍵尺寸評測方法”（Microbeam analysis — Scanning electron microscopy — Method for evaluating critical dimensions by CD-SEM (ISO 21466)），該標準由中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)物理學(xué)院和微尺度物質(zhì)科學(xué)國家研究中心的丁澤軍團隊主導(dǎo)制定，是半導(dǎo)體線寬測量方面的首個國際標準，也是半導(dǎo)體檢測領(lǐng)域由中國主導(dǎo)制定的首個國際標準，該標準的發(fā)布有助于促進半導(dǎo)體評測技術(shù)的發(fā)展，并提升我國在半導(dǎo)體行業(yè)的國際影響力和競爭力。 oIj=ba(n1  
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　　半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展日新月異，對集成電路器件加工尺寸的控制也要求日趨精細。芯片上的物理尺寸特征被稱為特征尺寸，其中最小的特征尺寸稱為關(guān)鍵尺寸（CD），其大小代表了半導(dǎo)體制造工藝的復(fù)雜性水平。對CD測量也可稱為納米尺度線寬測量，目前半導(dǎo)體的刻蝕線寬已經(jīng)降到10 nm以下，其測量的精準性直接決定著器件的性能。納米器件尺度的準確和精確（精度<1 nm）測量技術(shù)對半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展起著至關(guān)重要的作用，也是極具挑戰(zhàn)性的工作。人們已經(jīng)發(fā)展了多種測量技術(shù)手段，如散射測量、原子力顯微鏡、透射電子顯微鏡和掃描電子顯微鏡，而測長掃描電鏡（CD-SEM）是半導(dǎo)體工業(yè)生產(chǎn)中進行實時監(jiān)控與線寬測量的最為簡便和高效的方法。然而，由于掃描電鏡的二次電子信號發(fā)射在線寬邊沿處的加強效應(yīng)，納米級線寬的CD-SEM圖像的解析需要建立高精準算法。 c:Nm!+5_(  
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　　丁澤軍團隊長期從事電子束與材料相互作用領(lǐng)域里的基礎(chǔ)研究，發(fā)展了目前國際上最為先進的用于掃描電子顯微術(shù)和表面電子能譜學(xué)的Monte Carlo模擬計算方法，他們結(jié)合了NIST研究團隊提出的“基于模型數(shù)據(jù)庫”（MBL）方法，提出了該“基于測長掃描電鏡的關(guān)鍵尺寸評測方法”的ISO國際標準（IS）。標準文檔指定了利用CD-SEM成像表征刻蝕線寬的結(jié)構(gòu)模型及其相關(guān)參數(shù)、Monte Carlo模擬模型和成像掃描線計算方法、MBL數(shù)據(jù)庫構(gòu)造方法和文件格式、圖像匹配擬合程序和CD參數(shù)定值法。與傳統(tǒng)的經(jīng)驗閾值方法相比，該測量方法能夠給出準確的CD值，并且把線寬測量從單一參數(shù)擴展到包含結(jié)構(gòu)形貌特征的信息，適用于如晶圓上的柵極、光掩模、尺寸小至10 nm的單個孤立的或密集的線條特征圖案，這不僅為半導(dǎo)體刻蝕線寬的CD-SEM準確評測確定了行業(yè)標準，也為一般性納米級尺寸的其它測量法提供了參考。 V+O,y9  
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　　研究團隊自2011年始，在“973”項目“納米測量技術(shù)標準的基礎(chǔ)研究”課題“基于SEM的納米測長模型”的研究成果基礎(chǔ)上，于2014年在ISO/TC202/SC4做了新標準項目提案報告，2015年遞交投票新標準項目提案，2016年5月投票通過予以國際標準（IS）正式立項。該標準草案先后經(jīng)歷了四輪成員國投票，于2019年9月27日終輪投票通過，標準現(xiàn)已正式出版（https://www.iso.org/standard/70944.html）。 ggx_h  
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　　參與該標準相關(guān)研究和制定工作的團隊主要成員為：鄒艷波（現(xiàn)新疆師范大學(xué)）、李永鋼（現(xiàn)中科院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院）、李會民（現(xiàn)中國科大超級計算中心）。上述研究得到科技部“973”項目、國家自然科學(xué)基金委和中國科大超算中心的支持。